Transistor - Bipolar (BJT) - ကြိုတင်ဘက်လိုက်မှုတစ် | Discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ | 88

BCR185E6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106317

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR116E6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 137700

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR162E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 108478

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR146E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 186500

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR119E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 189129

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR141E6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 175032

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR183E6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 103535

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR192E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 151355

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR141E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 118113

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR135E6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 178566

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR198E6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 129349

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTD543EMT2L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 197068

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTA114ECAHZGT116

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 76

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTA123EMFHAT2L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 52

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTC014YMT2L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 110155

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTC143ZCAT116

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 189541

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTD114EKT146

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 161703

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTC044TMT2L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 146210

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 60mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTA114ECAT116

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 198449

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTC023YMT2L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 197747

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTA114YU3T106

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 129

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased + Diode, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTB523YMT2L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 140306

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTA043ZMT2L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 168268

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTC014YUBTL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 181793

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

DTDG14GPT100

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 143898

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

NSBC113EF3T5G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 197567

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 1 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 1 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

FJX3014RTF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 170119

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

NSVDTA143ZET1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 131694

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

DTC115EM3T5G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 134427

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

FJX3009RTF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2529

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

DTA115TET1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 107308

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

SMMUN2116LT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 182112

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

MUN2232T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 112143

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

Nexperia USA Inc.

PDTA114YQAZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 119778

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Nexperia USA Inc.

PDTA144WM,315

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 130610

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Nexperia USA Inc.

PDTA114YM,315

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 166222

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်