စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

AOD403_DELTA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2127

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A (Ta), 70A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOD4102L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2167

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A (Ta), 19A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 37 mOhm @ 12A, 10V,

AOD403_030

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2111

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A (Ta), 70A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOD206_030

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2125

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 18A (Ta), 46A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 mOhm @ 20A, 4.5V,

AO6411

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2171

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V,

AO7403_001

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2111

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 700mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 470 mOhm @ 700mA, 4.5V,

AO5404E_001

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2169

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 500mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

AO5404EL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2148

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 500mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

AO4771L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2144

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 68 mOhm @ 4A, 10V,

AO4710L_101

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6241

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12.7A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11.8 mOhm @ 12.7A, 10V,

AO4488L_101

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2124

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

AO4498EL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2189

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 18A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.8 mOhm @ 18A, 10V,

AO4485_102

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2105

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15 mOhm @ 10A, 10V,

AO4404BL_101

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2103

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 8.5A, 10V,

AO4437L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2175

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 16 mOhm @ 11A, 4.5V,

AO4202_120

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2149

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 19A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.3 mOhm @ 19A, 10V,

AOY516

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6234

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 46A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6516_151

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6224

Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

AON7548

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6244

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 24A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

AOD526

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2176

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 50A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AOI452A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2100

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 55A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.3 mOhm @ 20A, 10V,

AOD516_051

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6275

Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

AOD518_051

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2140

Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

AOB20C60

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6275

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 250 mOhm @ 10A, 10V,

AOD4160

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2097

AOB11C60

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2095

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 440 mOhm @ 5.5A, 10V,

AO4304_001

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6227

Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

AO4264

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2161

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11 mOhm @ 12A, 10V,

AUXMOS20956STR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2131

AUXS20956S

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2187

APT80SM120S

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2172

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: SiCFET (Silicon Carbide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 80A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 20V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT80SM120J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2121

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: SiCFET (Silicon Carbide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 51A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 20V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT80SM120B

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2112

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: SiCFET (Silicon Carbide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 80A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 20V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT70SM70J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6264

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: SiCFET (Silicon Carbide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 700V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 49A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 20V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

APT70SM70S

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2124

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: SiCFET (Silicon Carbide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 700V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 65A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 20V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

APT25SM120S

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2166

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: SiCFET (Silicon Carbide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 25A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 175 mOhm @ 10A, 20V,