Menu
မြန်မာမြန်မာ
rfqs / အမိန့်
0rfqs / အမိန့်

စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

BUK6C2R1-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6C2R1-55C,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 46841

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 55V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 228A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

Wishlist ရန်
BUK969R0-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK969R0-60E,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 102324

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 75A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist ရန်
BUK9Y30-75B/C2,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y30-75B/C2,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1130

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 75V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 34A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist ရန်
BUK9Y19-55B/C2,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y19-55B/C2,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1164

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 55V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 46A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 17.3 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist ရန်
BSP110,115
Nexperia USA Inc.

BSP110,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1086

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 520mA (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

Wishlist ရန်
BUK6E2R0-30C,127
Nexperia USA Inc.

BUK6E2R0-30C,127

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 31040

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 120A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist ရန်
BUK6507-75C,127
Nexperia USA Inc.

BUK6507-75C,127

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1003

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 75V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist ရန်
BUK7607-30B,118
Nexperia USA Inc.

BUK7607-30B,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 156921

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 75A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist ရန်
BUK725R0-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK725R0-40C,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 145924

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 75A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist ရန်
BUK724R5-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK724R5-30C,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 145943

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 75A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist ရန်
BUK763R6-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK763R6-40C,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1007

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist ရန်
BUK754R0-40C,127
Nexperia USA Inc.

BUK754R0-40C,127

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1037

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist ရန်
BUK761R8-30C,118
NXP USA Inc.

BUK761R8-30C,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 978

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist ရန်
BUK7619-100B,118
NXP USA Inc.

BUK7619-100B,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6106

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 64A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 19 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist ရန်
BSC0908NSATMA1
Infineon Technologies

BSC0908NSATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1017

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 34V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 14A (Ta), 49A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist ရန်
BSS816NW L6327
Infineon Technologies

BSS816NW L6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 875

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

Wishlist ရန်
BSS314PEL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS314PEL6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 879

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 140 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist ရန်
BSS806NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS806NL6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 961

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.3A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

Wishlist ရန်
BSS159NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS159NH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 894

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 230mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Wishlist ရန်
BSS127H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 920

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 21mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Wishlist ရန်
BSS126H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 899

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 21mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Wishlist ရန်
BSF083N03LQ G
Infineon Technologies

BSF083N03LQ G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6168

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 13A (Ta), 53A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.3 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist ရန်
BSF053N03LT G
Infineon Technologies

BSF053N03LT G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 917

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 16A (Ta), 71A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist ရန်
BSB024N03LX G
Infineon Technologies

BSB024N03LX G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 881

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 27A (Ta), 145A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist ရန်
BSB053N03LP G
Infineon Technologies

BSB053N03LP G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 882

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 17A (Ta), 71A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist ရန်
BSB019N03LX G
Infineon Technologies

BSB019N03LX G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1636

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 32A (Ta), 174A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist ရန်
BSS205NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS205NL6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 867

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist ရန်
BSO220N03MSGXUMA1
Infineon Technologies

BSO220N03MSGXUMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 941

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 22 mOhm @ 8.6A, 10V,

Wishlist ရန်
BSL802SNL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSL802SNL6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 843

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V,

Wishlist ရန်
BSL302SNL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSL302SNL6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 912

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.1A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 7.1A, 10V,

Wishlist ရန်
BSD214SN L6327
Infineon Technologies

BSD214SN L6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 923

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist ရန်
BSC200P03LSGAUMA1
Infineon Technologies

BSC200P03LSGAUMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 884

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.9A (Ta), 12.5A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wishlist ရန်
BSS215PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS215PL6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 873

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist ရန်
BSS315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS315PL6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 914

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 150 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist ရန်
BSO130N03MSGXUMA1
Infineon Technologies

BSO130N03MSGXUMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 855

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 13 mOhm @ 11.1A, 10V,

Wishlist ရန်
BSS83PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS83PL6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 886

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 330mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2 Ohm @ 330mA, 10V,

Wishlist ရန်