Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 7.9GHz ~ 9.6GHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 40V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 13A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.88GHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 0Hz ~ 6GHz, အမြတ်: 13dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 3.5A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.84GHz, အမြတ်: 16.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 19.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.99GHz, အမြတ်: 19dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 6GHz, အမြတ်: 18.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 1.2GHz ~ 1.4GHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 36A,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 5GHz, အမြတ်: 11.8dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 40V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 17A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 1.88GHz ~ 1.91GHz, အမြတ်: 16dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 2.17GHz, အမြတ်: 18.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 2.3GHz, အမြတ်: 14.6dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 230MHz, အမြတ်: 23dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 230MHz, အမြတ်: 26.1dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.69GHz, အမြတ်: 16.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.17GHz, အမြတ်: 18.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 512MHz, အမြတ်: 25.9dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 19.4dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 945MHz, အမြတ်: 15dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 1A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2GHz, အမြတ်: 11dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 13.6V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 5A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 945MHz, အမြတ်: 14dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 4A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 945MHz, အမြတ်: 17.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 13.6V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 7A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 945MHz, အမြတ်: 15dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 5A,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 0Hz ~ 4GHz, အမြတ်: 13dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 100MHz ~ 500MHz, အမြတ်: 8dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 16A,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 70MHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 100V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10A,
Transistor အမျိုးအစား: pHEMT FET, ကြိမ်နှုန်း: 20GHz, အမြတ်: 13.8dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 2V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 15mA, ဆူညံသံပုံ: 0.8dB,
