Transistor - Bipolar (BJT) - ကြိုတင်ဘက်လိုက်မှုတစ်

DTC115EUAT106

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 132118

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 20mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

DTC144WETL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 172238

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 30mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

DTA114WKAT146

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 180649

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

EML20T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 198983

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased + Diode, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

DTC124GKAT146

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 136545

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

DTD143TKT146

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 132172

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Wishlist ရန်

DTD713ZMT2L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 171373

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 1 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Wishlist ရန်

DTA114YUAT106

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 125912

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

DTB743EETL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 195724

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V,

Wishlist ရန်

DTA023YEBTL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 125078

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

DTA125TKAT146

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 126059

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 200 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTC144WU,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 102127

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTC143TU,135

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 136827

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTC143ET,235

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 197356

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTB143ETVL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 187833

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTD113ZT,215

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 188425

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 1 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTA144EU,135

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 151547

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTD123YT,215

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 109405

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTC123TT,235

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 134160

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTB123TT,215

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 196869

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTA113ZU,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 173073

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 1 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTC123TT,215

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 137637

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTA143XTVL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 118815

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

PDTB143EUX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 193094

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Wishlist ရန်

DTA124XET1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 165287

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

DTA143EET1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 169833

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

MMUN2211LT3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1916

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

FJV3105RMTF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 119473

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

MUN5114T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 178583

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

MMUN2237LT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 117531

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

MMUN2116LT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 125593

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

SMUN2111T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 145385

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်