စစ္ - Bipolar (BJT) - Array များ

ULQ2804A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 73240

Transistor အမျိုးအစား: 8 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

PBSS2515VPN,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 126417

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 15V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V,

PBSS4230PANP,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 195250

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 290mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

PBSS2515YPN,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135145

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 15V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V,

UMX3NTR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 161100

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

IMT4T108

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 120898

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

EMZ1T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 159590

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

EMX2T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 130305

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

UMX5NTR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 180998

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 11V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 5mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

MD2219A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3488

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CMLT5087EM TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 165535

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

MPQ3799

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12623

Transistor အမျိုးအစား: 4 PNP (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 100µA, 1mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V,

CEN955 W/DATA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6519

ECH8502-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 196927

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 120mV @ 125mA, 2.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

ECH8501-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 192899

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 110mV @ 125mA, 2.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

FMB2907A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 153935

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CPH5541-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 131817

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 700mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 190mV @ 10mA, 200mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

ZXT12P40DXTA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 89233

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 260mV @ 100mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

MMDT4124-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4457

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 25V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

ZXTDE4M832TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4403

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3.5A, 2.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, 70V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 25nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V,

ULN2003VAS16-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4527

ZDT690TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4443

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 5mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V,

MMDT4403-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4391

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 750mV @ 50mA, 500mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

IMX8-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6486

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

ULN2003AD

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 103189

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA,

SN75469N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 71189

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA,

ULN2003LVDR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 142279

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA,

SN75469DG4

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 123958

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA,

SLA4036

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 26480

current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V,

SMA4032

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 17965

Transistor အမျိုးအစား: 4 NPN Darlington (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 3mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 4V,

SMA4020

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 34621

Transistor အမျိုးအစား: 4 PNP Darlington (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 6mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 4V,

SG2003J-883B

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4460

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

JANTXV2N3810

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1613

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 100µA, 1mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

JAN2N2919L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1921

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 30mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 100µA, 1mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

JAN2N6987

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1383

Transistor အမျိုးအစား: 4 PNP (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

HN1A01F-GR(TE85L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4432

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,