စစ္ - Bipolar (BJT) - Array များ

MPQ2222A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 15040

Transistor အမျိုးအစား: 4 NPN (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

MPQ3798

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 11999

Transistor အမျိုးအစား: 4 PNP (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 100µA, 1mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 10mA, 5V,

CMXT3904 TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 116349

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

CEN895

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4471

ZXTC6720MCTA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 181229

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3.5A, 2.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, 70V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V,

ZDT694TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 129831

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 5mA, 400mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V,

ZXTDBM832TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4560

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 270mV @ 125mA, 4.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 25nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

ULN2003F12FN-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 137824

Transistor အမျိုးအစား: 4 NPN Darlington (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA,

ZXTC6718MCTA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 158453

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4.5A, 3.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

ULN2069B

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 27239

Transistor အမျိုးအစား: 4 NPN Darlington (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.75A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 2.25mA, 1.5A,

ULQ2003D1013TRY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 141438

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

FFB5551

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 164148

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 200mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

MC1413BPG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 116299

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

SMUN5111DW1T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 148571

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 300nA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

EMX1DXV6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 164133

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

FMB2227A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 129106

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.4V @ 30mA, 300mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 30nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

FFB2222A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 146550

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CPH5520-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 105724

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 260mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

PUMZ2,125

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 172961

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

PMP4201G,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 183684

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

PBSS5160PAP,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 144180

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 340mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

PMP5201G,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 104460

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

PEMZ7,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 170305

SG2023J-DESC

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4587

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 95V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

STA408A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 19182

Transistor အမျိုးအစား: 4 PNP Darlington (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 4mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V,

XN0155800L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4466

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 20mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

XN0240100L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4458

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

DME201010R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 184609

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

SMBT3904SE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4480

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

ULN2004AIDG4

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 154157

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA,

ULN2003AID

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 100337

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA,

ULN2004AINSR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 120597

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA,

ULN2004ADE4

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 115211

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA,

ULN2004AIN

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 89352

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA,

EMT18T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 174521

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 200mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

HN4B01JE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 76

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,