စစ္ - Bipolar (BJT) - Array များ

ZXTD6717E6TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 167337

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.5A, 1.25A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 15V, 12V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V,

ZDT6790TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 129829

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V,

DMMT3904W-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4384

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual) Matched Pair, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

ZDT795ATA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 129859

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 140V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

DMMT3906-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 192790

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual) Matched Pair, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

ZTD09N50DE6QTA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191347

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 270mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

CEN947

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4472

MPQ2907

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 15035

Transistor အမျိုးအစား: 4 PNP (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 30mA, 300mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V,

MD5179

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4485

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V,

MPQ7093

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 15071

Transistor အမျိုးအစား: 4 PNP (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 250V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 250nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

CMXT2222A TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 119289

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

MAT03EH

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4393

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 20mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 36V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 100mV @ 100µA, 1mA,

MAT01AHZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2762

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual) Matched Pair, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 25mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 300nA,

SSM2220SZ-REEL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4565

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual) Matched Pair, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 20mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 36V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 100mV @ 100µA, 1mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 36V,

MAT12AHZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2203

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual) Matched Pair, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 20mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 200mV @ 100µA, 1mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500pA,

UP0459900L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 118190

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 10V / 160 @ 2mA, 10V,

XP0240100L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4458

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

DMC505010R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 161415

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

XP0654300L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4400

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 65mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V,

XP0640100L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 154774

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

XN0643500L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4477

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 30mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 100mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 10V,

PMP5201Y/DG/B2,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6476

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

PBSS4350SPN,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 177115

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2.7A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 340mV @ 270mA, 2.7A / 370mV @ 270mA, 2.7A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V / 180 @ 1A, 2V,

PBSS4350SS,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 122879

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2.7A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 340mV @ 270mA, 2.7A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

MC1413BDG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 138205

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

FFB3946

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 125594

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

SBC847BPDXV6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 103497

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

ULN2003AIPWG4

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191223

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA,

JANTX2N2919U

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1225

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 30mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 100µA, 1mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

JANTXV2N3811U

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4514

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 100µA, 1mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

JANTX2N2920U

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 150

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 30mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 100µA, 1mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

ULQ2004A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 77999

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.7V @ 500µA, 350mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

VT6Z1T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 197894

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V,

VT6Z2T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 111680

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

UMT1NTN

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 122570

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

HN1C01F-GR(TE85L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 178604

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,