အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 170779
Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, 40V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,