Transistor များ - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Bias | Discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ | 42

BCR148SH6433XTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 109383

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR48PNH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 103039

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70mA, 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR08PNH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 177735

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR119SH6433XTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 157288

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR148SH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 188263

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR116SH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 104028

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR129SH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 114428

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR08PNH6727XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 125922

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR183SH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 158859

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR22PNH6433XTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 123945

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR183SH6433XTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1324

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR198SH6827XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1343

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Infineon Technologies

BCR141SH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 183216

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Nexperia USA Inc.

PBLS1502Y,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 161247

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, 15V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Wishlist ရန်

Nexperia USA Inc.

PBLS2021D,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 183829

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, 1.8A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, 20V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

Wishlist ရန်

Nexperia USA Inc.

PQMD2Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106888

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Nexperia USA Inc.

PEMD13,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 131970

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Nexperia USA Inc.

PUMB18,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 168362

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2607(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 114

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1507(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 173834

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1901,LF(CT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 146118

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 1 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4608(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 136

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 158

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

FMA5AT148

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 154673

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

FMA2AT148

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 118374

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

EMB51T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 153857

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 30mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

EMD59T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 105571

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

EMG1T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 157219

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်

Rohm Semiconductor

UMG6NTR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 150689

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

NSVBC124EDXV6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106381

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

SMUN5235DW1T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 184838

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

NSVMUN531335DW1T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 197856

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

NSVMUN5334DW1T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 194293

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

Panasonic Electronic Components

DMA964020R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 123316

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

Panasonic Electronic Components

DMC2610E0R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191114

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်

Panasonic Electronic Components

DMC564030R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 157335

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်