Transistor များ - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Bias

DMC561000R

DMC561000R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 148912

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
DMC2640F0R

DMC2640F0R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 169077

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
XN0421400L

XN0421400L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1593

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
DMC261030R

DMC261030R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 165183

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
DMC564050R

DMC564050R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 173291

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
UP0421300L

UP0421300L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1397

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
DMC5610E0R

DMC5610E0R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 179616

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
DMG263010R

DMG263010R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 113765

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
UP0121300L

UP0121300L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1471

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
UMD5NTR

UMD5NTR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 173235

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်
EMG8T2R

EMG8T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 168622

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်
IMH8AT108

IMH8AT108

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 120428

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist ရန်
IMH6AT108

IMH6AT108

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 151699

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်
NSBC115EPDXV6T1G

NSBC115EPDXV6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 423

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
NSBA114YDXV6T1

NSBA114YDXV6T1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1458

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
NSBA144WDXV6T1G

NSBA144WDXV6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 112545

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
NSBC114TDXV6T5G

NSBC114TDXV6T5G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 140654

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
UMA6NT1

UMA6NT1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1476

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
SMUN5114DW1T1G

SMUN5114DW1T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 172445

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
NSBC124XPDXV6T5G

NSBC124XPDXV6T5G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1491

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
EMD5DXV6T1G

EMD5DXV6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3186

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Wishlist ရန်
DCX143TU-7-F

DCX143TU-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 102462

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist ရန်
DCX142TH-7

DCX142TH-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 141704

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 470 Ohms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist ရန်
DDA123JK-7-F

DDA123JK-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 144533

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်
DDA122LU-7-F

DDA122LU-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 182845

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 220 Ohms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်
DDA114YK-7-F

DDA114YK-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 173347

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်
RN1505(TE85L,F)

RN1505(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 128512

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်
RN2965FE(TE85L,F)

RN2965FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1529

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်
RN1509(TE85L,F)

RN1509(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191088

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်
RN1973(TE85L,F)

RN1973(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 116165

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist ရန်
RN1702JE(TE85L,F)

RN1702JE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 122052

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်
RN2911(T5L,F,T)

RN2911(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1491

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist ရန်
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139044

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်
PUMH1/DG/B3,115

PUMH1/DG/B3,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1469

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်
PUMD16/ZLX

PUMD16/ZLX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1498

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wishlist ရန်
PBLS4002D,115

PBLS4002D,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 190225

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, 700mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, 40V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V,

Wishlist ရန်