Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

APTML202UM18R010T3AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2939

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 109A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 19 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTML1002U60R020T3AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3301

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1000V (1kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 720 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM50DHM65T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3350

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 51A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 78 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120VDA57T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2866

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 17A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM10DHM09T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2896

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 139A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM100TA35SCTPG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 293

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1000V (1kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 22A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC90AM60T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1142

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 900V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 59A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90AM602G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2917

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 900V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 59A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC60DSKM70T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2886

FET အမျိုးအစား: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 39A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60AM83BC1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2885

FET အမျိုးအစား: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 36A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC60DSKM45T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2935

FET အမျိုးအစား: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 49A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTC60AM42F2G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2862

FET အမျိုးအစား: 2 N Channel (Phase Leg), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 66A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 42 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 6mA,

APTC60AM83B1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2932

FET အမျိုးအစား: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 36A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC90H12T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1136

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 900V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90TAM60TPG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 424

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 900V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 59A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90HM60T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 666

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 900V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 59A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12T2G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2898

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 900V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DSK12T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5403

FET အမျိုးအစား: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 900V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DDA12T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2849

FET အမျိုးအစား: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 900V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.5V @ 3mA,

ALD111910SAL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 38839

ALD111910PAL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 38839

AOC2800

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2871

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate,

AON6974A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2934

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 22A, 30A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6970

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2849

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 24A, 42A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6928

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2893

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 17A, 30A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON2809

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2941

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 900mV @ 250µA,

AON6973A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2858

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 22A, 30A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON7826

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2861

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 23 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AO5803E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2874

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 800 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO5800E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2920

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.6 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO5600E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2939

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 600mA, 500mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4618

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 192153

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6974

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2877

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 22A, 30A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6936

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2917

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 22A, 40A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON6938

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2882

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 17A, 33A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO6801E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2875

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 110 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,