Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

NVMFD5489NLWFT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 87425

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDMC7200

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 104070

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 23.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C462NT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 57

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 17.6A (Ta), 70A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.4 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.5V @ 250µA,

NVMFD5C462NWFT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 119

FDMS7602S

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 55912

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12A, 17A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C674NLT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 108

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11A (Ta), 42A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 25µA,

FDPC5030SG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 68643

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 17A, 25A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3604S

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 150402

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 13A, 23A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.7V @ 250µA,

FDMD8430

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 165

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Source, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 28A (Ta), 95A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.12 mOhm @ 28A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS6898AZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 148041

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVTJD4001NT2G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 152238

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 250mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 100µA,

NTLJD3115PT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 178911

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

NVMFD5C462NLWFT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 58

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 18A (Ta), 84A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 40µA,

EFC3J018NUZTDG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 158

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.7 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.3V @ 1mA,

NTMFD5C462NLT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 129

FF23MR12W1M1B11BOMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 163

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 50A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 23 mOhm @ 50A, 15V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5.55V @ 20mA,

SP8M51FRATB

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 152

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A (Ta), 2.5A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TT8M3TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 154779

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.5A, 2.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

HP8KA1TB

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 113065

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 14A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 10mA,

SP8K22FRATB

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 87

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 45V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8K33FRATB

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 149

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TT8K1TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 171251

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

TT8K11TCR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 195555

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 4V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 71 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1A,

SI7900AEDN-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139913

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 900mV @ 250µA,

SUD50NP04-77P-T4E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 118918

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 37 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI6968BEDQ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 192809

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.6V @ 250µA,

SI4936CDY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 152475

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI3948DV-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139953

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMP3036SSD-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 156076

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN2008LFU-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 196776

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 14.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMNH4026SSDQ-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 107503

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.5A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC2990UDJQ-7B

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 199195

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel Complementary, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 450mA (Ta), 310mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN16M9UCA6-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.3V @ 1mA,

DMC2038LVTQ-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 174791

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel Complementary, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.7A (Ta), 2.6A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, 74 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

MTMC8E2A0LBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 184943

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 21 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.3V @ 1mA,

STL8DN10LF3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 83671

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,