Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

ALD114835PCL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21080

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel, Matched Pair, အင်္ဂါရပ် FET: Depletion Mode, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 10.6V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12mA, 3mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 540 Ohm @ 0V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.45V @ 1µA,

ALD114804PCL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 23866

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel, Matched Pair, အင်္ဂါရပ် FET: Depletion Mode, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 10.6V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12mA, 3mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 360mV @ 1µA,

ALD1110EPAL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 20563

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 500 Ohm @ 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.01V @ 1µA,

ALD210800PCL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 22423

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel, Matched Pair, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 10.6V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 80mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 Ohm, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 20mV @ 10µA,

ALD212900SAL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 29389

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 10.6V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 80mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14 Ohm, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 20mV @ 20µA,

ALD1102SAL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 18848

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 10.6V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 270 Ohm @ 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 10µA,

ALD310704APCL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13531

FET အမျိုးအစား: 4 P-Channel, Matched Pair, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 380mV @ 1µA,

ALD110904PAL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 22024

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 10.6V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12mA, 3mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 420mV @ 1µA,

ALD110904SAL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21998

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 10.6V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12mA, 3mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 420mV @ 1µA,

ALD110808APCL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 15203

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel, Matched Pair, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 10.6V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12mA, 3mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 810mV @ 1µA,

ALD110900PAL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21972

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 10.6V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 500 Ohm @ 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 20mV @ 1µA,

APTMC120TAM33CTPAG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 107

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 78A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 3mA (Typ),

APTM50H14FT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1149

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 26A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 168 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 1mA,

APTMC120AM25CT3AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 283

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 113A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 4mA (Typ),

APTSM120AM08CT6AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 144

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), Schottky, အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 370A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 10mA,

APTSM120TAM33CTPAG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 177

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 112A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 3mA,

APTSM120AM09CD3AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 195

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 337A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 9mA,

APTSM120AM14CD3AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 248

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), Schottky, အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 337A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 9mA,

APTSM120AM55CT1AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 589

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), Schottky, အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 74A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 2mA,

APTSM120AM25CT3AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 290

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), Schottky, အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 148A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 4mA,

APTMC120AM08CD3AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 68

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 250A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 10mA (Typ),

APTM50HM65FT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 692

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 51A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50AM38STG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 559

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 90A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 5mA,

AO4828

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 197

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

AOE6936

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 241

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 55A (Tc), 85A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 mOhm @ 20A, 10V, 2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA,

AO4862

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 168294

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON4803

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 144807

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

AO8810

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 162690

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AON6996

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 180862

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 50A, 60A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6850

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 99071

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 250µA,

AO4614A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 181100

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

AO6602L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 108988

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel Complementary, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 75 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

AOC3868

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 244

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AOE6922

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 231

AO8822

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 186647

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

AO6800

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191185

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,