Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

SIZF906DT-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 98746

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 60A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI4963BDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 89691

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.4V @ 250µA,

SI5517DU-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139934

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SI4804CDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 85201

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SI5515DC-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 153475

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.4A, 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SQ1902AEL-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9906

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 780mA (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 415 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI4204DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 80891

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 19.8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.4V @ 250µA,

CSD86311W1723

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 155741

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 39 mOhm @ 2A, 8V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.4V @ 250µA,

CSD86356Q5D

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10781

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 5V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA,

CMLDM3757 TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 173409

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 540mA, 430mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

IRFI4019HG-117P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3354

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8.7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 95 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4.9V @ 50µA,

DMN4034SSD-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 104438

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 34 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

DMPH6050SSDQ-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 176283

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.2A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC4040SSDQ-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191341

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel Complementary, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.5A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.8V @ 250µA,

DMP3056LSDQ-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10772

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.9A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.1V @ 250µA,

DMC1229UFDB-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 185667

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.6A, 3.8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN2215UDM-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 186022

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

DMG1016UDW-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 177152

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.07A, 845mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 450 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

DMT3020LFDB-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 176284

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.7A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

DMG8822UTS-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 155822

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.9A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 900mV @ 250µA,

FDMB2307NZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191134

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate,

FDPC8016S

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 69237

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, 35A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NVMFD5C672NLWFT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6532

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12A (Ta), 49A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 30µA,

EMH2604-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 118126

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A, 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

FDME1023PZT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 114825

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMA1027P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 148465

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.3V @ 250µA,

FC4B22270L1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 167168

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.4V @ 310µA,

TPD3215M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 455

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 70A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 34 mOhm @ 30A, 8V,

SSM6N61NU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 117701

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 33 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

NX3008CBKV,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 142413

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 400mA, 220mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.1V @ 250µA,

GWM100-01X1-SMDSAM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2800

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 90A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4.5V @ 250µA,

GMM3X180-004X2-SMDSAM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3145

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 180A, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4.5V @ 1mA,

MCB40P1200LB

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 230

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Source, အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 58A,

PMDPB760ENX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2945

QS6M4TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 185861

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 1mA,

SH8M3TB1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 180841

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,