Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

QJD1210010

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2869

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 10mA,

QJD1210SA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2941

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.6V @ 34mA,

HCT802TX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1374

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 90V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A, 1.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ZXMD63C02XTC

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2674

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

DMP2240UDM-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 152559

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 150 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SI4500BDY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2701

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.6A, 3.8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI3909DV-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2856

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 500mV @ 250µA (Min),

SI4830CDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135529

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 1mA,

SI9933BDY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2801

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.4V @ 250µA,

SI1553DL-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2696

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 660mA, 410mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

SI9945AEY-T1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2814

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI1539DL-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2837

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 540mA, 420mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.6V @ 250µA,

SI4330DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2810

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI3905DV-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2795

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI7501DN-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 57296

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.4A, 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI5975DC-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2853

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 450mV @ 1mA (Min),

SI6943BDQ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2834

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 800mV @ 250µA,

SI6963BDQ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2791

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.4V @ 250µA,

STS2DPF80

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2631

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 250µA,

STS3C2F100

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2685

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 145 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 250µA,

JANTX2N7335

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2875

FET အမျိုးအစား: 4 P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 750mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 250µA,

EPC2105ENG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2911

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A, 38A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 2.5mA,

NDS9953A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2676

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 130 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.8V @ 250µA,

FDS3812

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2733

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 74 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 250µA,

FDG6320C_D87Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2690

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 220mA, 140mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8651R-R-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2871

FDJ1028N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2716

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMA1029PZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 178279

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

IRF8513TRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2774

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, 11A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.35V @ 25µA,

IRF7314PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 86093

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 700mV @ 250µA,

IRF7907PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2738

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.1A, 11A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.35V @ 25µA,

IRF9910PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2659

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10A, 12A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.55V @ 250µA,

IRF7754TRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2835

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 900mV @ 250µA,

IRF9956TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2695

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SP8K5TB

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2680

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TPC8208(TE12L,Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2694

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 200µA,