Transistor များ - IGBTs - module များ

Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 530

IGBT အမျိုးအစား: NPT, Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Full Bridge Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 80A, ပါဝါ - မက်စ်: 176W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 491

IGBT အမျိုးအစား: NPT, Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Full Bridge Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100A, ပါဝါ - မက်စ်: 250W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 539

IGBT အမျိုးအစား: NPT, Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Boost Chopper, Full Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 80A, ပါဝါ - မက်စ်: 176W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 546

IGBT အမျိုးအစား: NPT, Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Full Bridge Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 75A, ပါဝါ - မက်စ်: 270W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 476

IGBT အမျိုးအစား: NPT, Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Full Bridge Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50A, ပါဝါ - မက်စ်: 90W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 30A,

Wishlist ရန်

APTGV50H120BTPG

Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 466

IGBT အမျိုးအစား: NPT, Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Boost Chopper, Full Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 75A, ပါဝါ - မက်စ်: 270W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 528

IGBT အမျိုးအစား: NPT, Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Boost Chopper, Full Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 40A, ပါဝါ - မက်စ်: 156W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 25A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 540

IGBT အမျိုးအစား: NPT, Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Full Bridge Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 40A, ပါဝါ - မက်စ်: 156W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 25A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 546

IGBT အမျိုးအစား: NPT, Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Full Bridge Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150A, ပါဝါ - မက်စ်: 340W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 100A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 487

IGBT အမျိုးအစား: NPT, Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Full Bridge Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 25A, ပါဝါ - မက်စ်: 115W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 15A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 546

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Three Phase, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100A, ပါဝါ - မက်စ်: 250W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

APTGV100H60BTPG

Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5307

IGBT အမျိုးအစား: NPT, Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Boost Chopper, Full Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150A, ပါဝါ - မက်စ်: 340W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 100A,

Wishlist ရန်

APTGT75SK120T1G

Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 531

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 110A, ပါဝါ - မက်စ်: 357W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

APTGT75SK120D1G

Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 541

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 110A, ပါဝါ - မက်စ်: 357W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 521

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Asymmetrical Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100A, ပါဝါ - မက်စ်: 250W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

APTGT75DSK60T3G

Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 490

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Dual Buck Chopper, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100A, ပါဝါ - မက်စ်: 250W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 478

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Asymmetrical Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 110A, ပါဝါ - မက်စ်: 357W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

APTGT75DA170T1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 540

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1700V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 130A, ပါဝါ - မက်စ်: 465W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.4V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

APTGT75DA170D1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 464

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1700V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 120A, ပါဝါ - မက်စ်: 520W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.4V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

APTGT75DA120T1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 555

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 110A, ပါဝါ - မက်စ်: 357W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 545

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Half Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1700V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 120A, ပါဝါ - မက်စ်: 520W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.4V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

APTGT75DA120D1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 548

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 110A, ပါဝါ - မက်စ်: 357W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 526

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Half Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 110A, ပါဝါ - မက်စ်: 357W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 75A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 526

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 760A, ပါဝါ - မက်စ်: 1600W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 600A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 482

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Three Phase, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1700V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70A, ပါဝါ - မက်စ်: 310W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.4V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

APTGT50SK170D1G

Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 514

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1700V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70A, ပါဝါ - မက်စ်: 310W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.4V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 476

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Dual, Common Source, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1700V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 75A, ပါဝါ - မက်စ်: 312W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.4V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

APTGT50DSK60T3G

Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 541

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Dual Buck Chopper, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 80A, ပါဝါ - မက်စ်: 176W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

APTGT50DSK120T3G

Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 552

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Dual Buck Chopper, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 75A, ပါဝါ - မက်စ်: 270W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 528

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Asymmetrical Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 80A, ပါဝါ - မက်စ်: 176W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

APTGT50DA170T1G

Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3071

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1700V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 75A, ပါဝါ - မက်စ်: 312W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.4V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

APTGT50DA170D1G

Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 518

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1700V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70A, ပါဝါ - မက်စ်: 310W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.4V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

APTGT50DA120D1G

Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 496

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 75A, ပါဝါ - မက်စ်: 270W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 535

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Half Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1700V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70A, ပါဝါ - မက်စ်: 310W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.4V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 520

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Half Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 80A, ပါဝါ - မက်စ်: 176W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.9V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 494

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Half Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 75A, ပါဝါ - မက်စ်: 270W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 50A,

Wishlist ရန်

2333

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»