Transistor များ - IGBTs - module များ

BSM15GD120DLCE3224BOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 398

ဖွဲ့စည်းပုံ: Full Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 35A, ပါဝါ - မက်စ်: 145W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.6V @ 15V, 15A,

BSM50GAL120DN2HOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 420

ဖွဲ့စည်းပုံ: Single Switch, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 78A, ပါဝါ - မက်စ်: 400W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 3V @ 15V, 50A,

BSM35GB120DN2HOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 402

ဖွဲ့စည်းပုံ: Half Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50A, ပါဝါ - မက်စ်: 280W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 3.2V @ 15V, 35A,

BSM15GD120DN2E3224BOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 370

ဖွဲ့စည်းပုံ: Full Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 25A, ပါဝါ - မက်စ်: 145W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 3V @ 15V, 15A,

BSM15GD120DN2BOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 342

ဖွဲ့စည်းပုံ: Three Phase Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 25A, ပါဝါ - မက်စ်: 145W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 3V @ 15V, 15A,

BSM75GB60DLCHOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 412

ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100A, ပါဝါ - မက်စ်: 355W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.45V @ 15V, 75A,

BSM50GB60DLCHOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 400

ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 75A, ပါဝါ - မက်စ်: 280W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.45V @ 15V, 50A,

BSM10GD120DN2BOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 398

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 406

ဖွဲ့စည်းပုံ: Full Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ပါဝါ - မက်စ်: 80W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 3.2V @ 15V, 10A,

BSM30GD60DLCE3224

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 367

IGBT အမျိုးအစား: NPT, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 40A, ပါဝါ - မက်စ်: 135W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.45V @ 15V, 30A,

F475R07W1H3B11ABOMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1683

FS100R12KT4B11BOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 691

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Three Phase Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100A, ပါဝါ - မက်စ်: 515W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 100A,

FZ400R65KE3NOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 744

ဖွဲ့စည်းပုံ: Half Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 6500V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800A, ပါဝါ - မက်စ်: 8350W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 3.4V @ 15V, 400A,

FZ2400R17HP4B28BOSA2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 235

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single Switch, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1700V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4800A, ပါဝါ - မက်စ်: 15500W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.25V @ 15V, 2400A,

DF80R12W2H3_B11

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 217

FS200R12KT4RB11BOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 381

ဖွဲ့စည်းပုံ: Three Phase Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 280A, ပါဝါ - မက်စ်: 1000W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.15V @ 15V, 200A,

FZ2400R17HP4HOSA2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 432

FF400R33KF2CNOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 645

ဖွဲ့စည်းပုံ: 2 Independent, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 3300V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 660A, ပါဝါ - မက်စ်: 4800W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 4.25V @ 15V, 400A,

FP75R12N2T4B11BPSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 390

FF650R17IE4PBOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 413

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: 2 Independent, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1700V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 650A, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.45V @ 15V, 650A,

IFS150B12N3E4PB11BPSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 376

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Full Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 300A, ပါဝါ - မက်စ်: 750W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.1V @ 15V, 150A,

DF160R12W2H3_B11

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 246

FF75R12RT4HOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 146

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: 2 Independent, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 75A, ပါဝါ - မက်စ်: 395W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.15V @ 15V, 75A,

FP15R12KS4CBOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 366

ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 30A, ပါဝါ - မက်စ်: 180W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 3.7V @ 15V, 15A,

FS900R08A2P2B32BOSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 816

VS-GB200TH120N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 241

ဖွဲ့စည်းပုံ: Half Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 360A, ပါဝါ - မက်စ်: 1136W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.35V @ 15V, 200A,

VS-GB100TH120N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 318

ဖွဲ့စည်းပုံ: Half Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200A, ပါဝါ - မက်စ်: 833W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.35V @ 15V, 100A,

VS-GB200TH120U

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 226

ဖွဲ့စည်းပုံ: Half Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 330A, ပါဝါ - မက်စ်: 1316W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 3.6V @ 15V, 200A,

MUBW25-06A6K

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1998

IGBT အမျိုးအစား: NPT, ဖွဲ့စည်းပုံ: Three Phase Inverter with Brake, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 31A, ပါဝါ - မက်စ်: 100W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.4V @ 15V, 20A,

MUBW75-17T8

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 488

IGBT အမျိုးအစား: Trench, ဖွဲ့စည်းပုံ: Three Phase Inverter with Brake, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1700V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 113A, ပါဝါ - မက်စ်: 450W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.4V @ 15V, 75A,

CM50TU-24F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 548

IGBT အမျိုးအစား: Trench, ဖွဲ့စည်းပုံ: Three Phase Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50A, ပါဝါ - မက်စ်: 320W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.4V @ 15V, 50A,

CM100TF-24H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 210

ဖွဲ့စည်းပုံ: Three Phase Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100A, ပါဝါ - မက်စ်: 780W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 3.4V @ 15V, 100A,

CM75TL-12NF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 439

ဖွဲ့စည်းပုံ: Three Phase Inverter, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 75A, ပါဝါ - မက်စ်: 430W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.2V @ 15V, 75A,

NXH80B120H2Q0SG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 168

ဖွဲ့စည်းပုံ: Dual Boost Chopper, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 41A, ပါဝါ - မက်စ်: 103W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.5V @ 15V, 40A,

MG12200D-BA1MM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 599

ဖွဲ့စည်းပုံ: Half Bridge, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 1200V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 300A, ပါဝါ - မက်စ်: 1400W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 1.8V @ 15V, 200A (Typ),

GHIS080A060S1-E1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2532

IGBT အမျိုးအစား: Trench Field Stop, ဖွဲ့စည်းပုံ: Single, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 160A, ပါဝါ - မက်စ်: 380W, Vce, IC @ Vce (on) (Max): 2.5V @ 15V, 80A,