စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို

2N5086

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 126856

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

2N4234

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 60162

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 125mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V,

2N6427

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 164942

2N2904

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 66889

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N3053A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 15155

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 700mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 15mA, 150mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V,

2N1131A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 16147

Transistor အမျိုးအစား: PNP, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V,

2N1131B

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 16167

2N6433

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 45561

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 250nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V,

2N6430

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 18210

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 200V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 10V,

2N3421

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 19851

Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V,

2N4123

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 119585

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 10V,

2N5416

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 37585

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 2V @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 10V,

2N3439

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 66881

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 350V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 4mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2mA, 10V,

2N6432

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 45527

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 200V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 250nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V,

2N2368

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 71842

Transistor အမျိုးအစား: NPN, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 400mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V,

2N5822

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 43635

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 750mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 70V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.2V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V,

2N2218

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 66834

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N2905

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 66848

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N915

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 53837

Transistor အမျိုးအစား: NPN, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V,

2N6428

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 112615

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 25nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V,

2N6431

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 36389

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 10V,

2N699

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 70747

Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 5V @ 15mA, 150mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 2µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N5367

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 146556

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 300mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 30mA, 300mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V,

2SA1312-BL(TE85L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 123

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

2SA1832-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 160315

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

2SB906-Y(TE16L1,NQ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 107

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.7V @ 300mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

2SA1586-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 100369

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

2SC4213BTE85LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 179590

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 300mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 100mV @ 3mA, 30A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

2SC4116-BL,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 124685

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

2SA1588-GR,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 122917

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

2SC4738-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 134403

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

2DD1766R-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 126549

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 32V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V,

2DB1188P-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 198

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 32V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V,

2DA1213Y-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 171559

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

2DB1697-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 195212

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 180mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

2DD2679-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 179172

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 370mV @ 75mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,