စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို | Discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ | 100

2SC2229-Y(T6ONK1FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6992

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6990

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7022

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7021

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6703

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6975

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7020

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7022

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6954

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6948

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6990

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6947

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7035

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7005

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6999

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7004

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 400mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 20mA, 200A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6754

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 400mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 20mA, 200A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6942

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6995

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7000

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6996

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 6mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 2µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6949

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6958

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6947

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6980

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7012

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6968

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7012

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6956

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6980

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6968

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7009

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6956

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6969

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 1mA, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist ရန်

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7016

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist ရန်

ON Semiconductor

2SC6017-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 111005

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 10A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 360mV @ 250mA, 5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Wishlist ရန်