စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို

2SD1815T-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 107932

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 150mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V,

2SD1805F-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 100376

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 60mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V,

2SD1815S-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 119024

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 150mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V,

2SD1207U

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6690

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 100mA, 2V,

2SD1207T

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6659

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

2SD1207S

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6684

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

2SD1012F-SPA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6635

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 700mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 15V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 80mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V,

2SC6098-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 178587

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 165mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V,

2SC6099-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 172678

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 165mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V,

2SC6043

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6684

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

2SC4134T-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 156753

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 40mA, 400mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

2SC3332T

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6705

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 700mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 25mA, 250mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

2SC3332S

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1656

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 700mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 25mA, 250mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

2SB1216T-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 183867

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V,

2SB1216T-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 124493

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V,

2SB1216S-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 183812

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V,

2SB1215S-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 195510

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 150mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V,

2SB1203T-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6668

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 550mV @ 150mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

2SB1201T-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 198481

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 700mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

2SB1203T-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 172240

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 550mV @ 150mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

2SA2205-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 195532

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 240mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

2SA2127

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6634

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

2SA1507T

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6636

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

2SA1020RLRAG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6717

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

2N5551RL1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6628

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 200mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

2N5210TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 187886

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 700mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

2SC4617G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6666

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 60mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

2SD1815T-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 172211

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 150mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V,

2N6227

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6623

2N6228

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6751

2N5839

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6639

2SC4116SU-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6677

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

2SA1586SU-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6701

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

2SA1162S-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6675

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

2STBN15D100T4

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6650

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 12A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.3V @ 4mA, 4A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

2STL2580

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6694

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 400V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 200mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 5V,