စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို

2N4410_D26Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5811

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 200mV @ 100µA, 1mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

2N5086TFR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5718

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V,

2N5086TF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5718

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V,

2N5086TAR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5747

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V,

2N5086BU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5787

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V,

2N4125TAR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5776

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

2N4403_D81Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5740

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 750mV @ 50mA, 500mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

2N6518TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5801

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 250V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V,

2N6518BU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5774

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 250V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V,

2N6428ABU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5778

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 25nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

2N5210TAR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5705

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 700mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

2N5210NMBU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5759

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 700mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

2N7053_D75Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5696

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 200nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

2N7053_D26Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5775

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 200nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

2N7052_D74Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6668

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 200nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

2SA2124-TD-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 142189

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 75mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

2SA2016-TD-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 104402

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 7A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 40mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

2N4401TFR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135452

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 750mV @ 50mA, 500mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

2SC3648T-TD-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 155902

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 700mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 25mA, 250mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

2N6427_D75Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5719

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 500µA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14000 @ 500mA, 5V,

2N5961_D27Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6633

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 200mV @ 500µA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 2nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V,

2N6427_D27Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5650

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 500µA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14000 @ 500mA, 5V,

2N5551TAR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5662

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 200mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

2N5400RA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5675

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

2N5400_D75Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6565

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

2N5366_D26Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5720

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 30mA, 300mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V,

2N5308_D75Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5743

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.4V @ 200µA, 200mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

2N5308_D74Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5679

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.4V @ 200µA, 200mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

2N5172_D74Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5733

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 25V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

2N2219A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 32882

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N6192

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5709

2SC5824T100Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 131037

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

2SB1188T100Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 167618

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 32V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

2SB13980QA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 196718

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 25V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2A, 2V,

2DA1201YQTC

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13261

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

2SC3519

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 17951

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 2V @ 500mA, 5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V,