စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို

2SB07100SL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6634

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 25V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 30mA, 300mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V,

2SB0792ARL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5449

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 185V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 3mA, 30mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V,

2SB0709ARL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5489

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

2SB07100RL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5516

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 25V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 30mA, 300mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

2SB167900L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5467

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 8mA, 400mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V,

2SC559200L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5457

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 15V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 320mV @ 50mA, 2.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V,

2SA20570P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5479

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 375mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 4V,

2SC57390P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5468

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 375mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 4V,

2SD1423A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5471

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 30mA, 300mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

2SA1309A0A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5508

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

2SD23750P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5440

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V,

2SD0968A0L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5515

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 50mA, 500mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V,

2SD0874A0L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5435

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 10V,

2SD2216J0L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5515

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V,

2SD244100L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5440

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 25mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 400mA, 1V,

2SD22100RL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5471

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 20mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

2SD21850RL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5490

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V,

2SD2137APA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5446

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.2V @ 375mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

2SD21390PA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5502

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V,

2SB09560RL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5464

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V,

2SB0766ARL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5462

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V,

2SB158900L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5452

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 350mV @ 25mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 400mA, 1V,

2SB10730RL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5429

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V,

2SB1462J0L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5453

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

2SD25490P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6640

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 700mV @ 375mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

2SD0946B

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5424

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.8V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 10V,

2SD2374AP

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5496

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.2V @ 375mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 300µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

2SD20000P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5418

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 400mA, 4A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

2SD2018

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5487

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.8V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6500 @ 1A, 10V,

2SD14990P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5414

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 2V @ 300mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

2SD1277AP

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5500

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 8A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 8mA, 4A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 4A, 3V,

2SD1276AP

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5496

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 4V @ 20mA, 5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V,

2SD1275AP

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5417

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 2.5V @ 8mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 2mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 2A, 4V,

2SD1271AP

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5436

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 7A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 250mA, 5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V,

2SD1264AP

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5423

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 180V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N3500L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6631