Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 6.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, အမြတ်: 12dB, ပါဝါ - မက်စ်: 1.2W,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 5V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 20GHz, အမြတ်: 6.5dB, ပါဝါ - မက်စ်: 735mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 9GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, အမြတ်: 13dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 3.3V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 21GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, အမြတ်: 14dB, ပါဝါ - မက်စ်: 115mW,
Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 6V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 9GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 10GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, အမြတ်: 11dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 10GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, အမြတ်: 9dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 5V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 18GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz, အမြတ်: 9.5dB ~ 11.5dB, ပါဝါ - မက်စ်: 130mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 2.3V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 60GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz, အမြတ်: 16dB, ပါဝါ - မက်စ်: 80mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 5V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 10GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz, အမြတ်: 7dB ~ 10dB, ပါဝါ - မက်စ်: 130mW,
Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 7GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, အမြတ်: 12dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 6V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 11GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz, အမြတ်: 13.5dB, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 6GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, အမြတ်: 8.3dB, ပါဝါ - မက်စ်: 1.8W,
Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 5.5V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 6.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 130mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 4.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 125mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 9GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, အမြတ်: 13dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 7GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, အမြတ်: 11.5dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 9GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, အမြတ်: 13.5dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 6.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, အမြတ်: 9dB, ပါဝါ - မက်စ်: 1.2W,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 3V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 11GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 90mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 15V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 5.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 2W,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 6V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 12GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, အမြတ်: 10dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: PNP, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 8.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz, အမြတ်: 12dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 5.5V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 4.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, အမြတ်: 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ, ပါဝါ - မက်စ်: 140mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 10GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, အမြတ်: 12dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 6V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 14.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, အမြတ်: 12dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
