Menu
မြန်မာမြန်မာ
rfqs / အမိန့်
0rfqs / အမိန့်

Transistor - Bipolar (BJT) - ကြိုတင်ဘက်လိုက်မှုတစ်

  • နေအိမ်
  •  
  • Transistor - Bipolar (BJT) - ကြိုတင်ဘက်လိုက်မှုတစ်
DDTA125TUA-7
Diodes Incorporated

DDTA125TUA-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2110

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 200 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
DDTD122LC-7-F
Diodes Incorporated

DDTD122LC-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 168039

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 220 Ohms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Wishlist
DDTA115TUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA115TUA-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 199577

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
DDTB142JC-7-F
Diodes Incorporated

DDTB142JC-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 142926

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 470 Ohms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Wishlist
DDTC123ECA-7
Diodes Incorporated

DDTC123ECA-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3263

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Wishlist
DDTC144ELP-7
Diodes Incorporated

DDTC144ELP-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 100517

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wishlist
DDTC114GUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC114GUA-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2229

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist
DDTA122TE-7
Diodes Incorporated

DDTA122TE-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2169

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 220 Ohms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
DDTB122TU-7
Diodes Incorporated

DDTB122TU-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2153

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 220 Ohms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Wishlist
DDTA144EUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA144EUA-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2206

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wishlist
DDTA143FE-7-F
Diodes Incorporated

DDTA143FE-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 188911

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Wishlist
DDTB114EC-7-F
Diodes Incorporated

DDTB114EC-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 102631

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Wishlist
DDTC115ECA-7
Diodes Incorporated

DDTC115ECA-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2230

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Wishlist
DDTD114TC-7-F
Diodes Incorporated

DDTD114TC-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 167253

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Wishlist
DDTC124TEQ-7-F
Diodes Incorporated

DDTC124TEQ-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 182727

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
DDTC143TUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC143TUA-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 140295

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
DDTC142JU-7-F
Diodes Incorporated

DDTC142JU-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2198

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 470 Ohms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

Wishlist
DDTA143ECA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA143ECA-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 187

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Wishlist
DDTD123EU-7-F
Diodes Incorporated

DDTD123EU-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 185650

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V,

Wishlist
DDTA114ECA-7
Diodes Incorporated

DDTA114ECA-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2209

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist
DDTC123YE-7
Diodes Incorporated

DDTC123YE-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2207

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Wishlist
DDTA123TUA-7
Diodes Incorporated

DDTA123TUA-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2222

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
DDTA144TCA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA144TCA-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 129653

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
DDTC123JCA-7
Diodes Incorporated

DDTC123JCA-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2197

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
DDTA114YE-7-F
Diodes Incorporated

DDTA114YE-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 151432

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Wishlist
DDTA113ZE-7-F
Diodes Incorporated

DDTA113ZE-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 137522

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 1 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Wishlist
DDTC123YUA-7
Diodes Incorporated

DDTC123YUA-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2151

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Wishlist
DDTA113ZUA-7
Diodes Incorporated

DDTA113ZUA-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2167

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 1 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Wishlist
DDTB143TC-7-F
Diodes Incorporated

DDTB143TC-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 157201

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Wishlist
DDTA115ECA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA115ECA-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3291

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Wishlist
DDTC123TE-7
Diodes Incorporated

DDTC123TE-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2133

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
DDTC123YCA-7
Diodes Incorporated

DDTC123YCA-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2203

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Wishlist
DDTB113ZC-7-F
Diodes Incorporated

DDTB113ZC-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 176561

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 1 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Wishlist
DDTC115TE-7
Diodes Incorporated

DDTC115TE-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1631

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
DDTC125TUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC125TUA-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 199870

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 200 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
DDTC115EE-7
Diodes Incorporated

DDTC115EE-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3301

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Wishlist