Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ | Discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ | 1

EPC2105ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13745

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 2.5mA,

Wishlist

EPC

EPC2100

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 18949

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10A (Ta), 40A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

Wishlist

EPC

EPC2104ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13673

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

Wishlist

EPC

EPC2101ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13969

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A, 38A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 2mA,

Wishlist

EPC

EPC2103ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13895

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Wishlist

EPC

EPC2111ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 43248

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 16A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 5mA,

Wishlist

EPC

EPC2101ENG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2948

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A, 38A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 2mA,

Wishlist

EPC

EPC2100ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 14216

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10A (Ta), 40A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

Wishlist

EPC

EPC2106ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 88131

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 600µA,

Wishlist

EPC

EPC2102ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 14073

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A (Tj), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Wishlist

EPC

EPC2103

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 23026

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 28A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Wishlist

EPC

EPC2105

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 24303

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A, 38A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA,

Wishlist

EPC

EPC2100ENG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2900

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10A (Ta), 40A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

Wishlist

EPC

EPC2105ENG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2911

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A, 38A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 2.5mA,

Wishlist

EPC

EPC2103ENG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2868

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Wishlist

EPC

EPC2104

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 24318

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

Wishlist

EPC

EPC2106

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 24307

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 600µA,

Wishlist

EPC

EPC2102ENG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2960

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Wishlist

EPC

EPC2102

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 24374

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Wishlist

EPC

EPC2104ENG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2913

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

Wishlist

EPC

EPC2107ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 82626

FET အမျိုးအစား: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.7A, 500mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

Wishlist

EPC

EPC2107

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 79571

FET အမျိုးအစား: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.7A, 500mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

Wishlist

EPC

EPC2111

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 48430

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 16A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 5mA,

Wishlist

EPC

EPC2110ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 67578

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Source, အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 120V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 700µA,

Wishlist

EPC

EPC2101

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21570

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A, 38A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA,

Wishlist

EPC

EPC2110

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 26911

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Source, အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 120V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 700µA,

Wishlist

EPC

EPC2108

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 83651

FET အမျိုးအစား: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.7A, 500mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

Wishlist