Diodes - Rectifier - လူပျို

GKR26/14

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12958

diode အမျိုးအစား: Standard, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1400V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 25A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.55V @ 60A, မြန်နှုန်း: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKR26/16

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12921

diode အမျိုးအစား: Standard, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1600V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 25A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.55V @ 60A, မြန်နှုန်း: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/04

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13144

diode အမျိုးအစား: Standard, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 400V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 25A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.55V @ 60A, မြန်နှုန်း: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/08

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13937

diode အမျိုးအစား: Standard, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 800V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 25A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.55V @ 60A, မြန်နှုန်း: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/16

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12900

diode အမျိုးအစား: Standard, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1600V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 25A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.55V @ 60A, မြန်နှုန်း: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GB02SLT06-214

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1697

GKR26/08

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13917

diode အမျိုးအစား: Standard, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 800V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 25A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.55V @ 60A, မြန်နှုန်း: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GB05SLT12-220

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 15869

diode အမျိုးအစား: Silicon Carbide Schottky, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1200V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 5A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.8V @ 2A, မြန်နှုန်း: No Recovery Time > 500mA (Io), ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးအချိန် (trr): 0ns,

GKR26/04

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 18368

diode အမျိုးအစား: Standard, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 400V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 25A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.55V @ 60A, မြန်နှုန်း: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/12

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12909

diode အမျိုးအစား: Standard, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1200V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 25A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.55V @ 60A, မြန်နှုန်း: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKR26/12

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12907

diode အမျိုးအစား: Standard, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1200V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 25A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.55V @ 60A, မြန်နှုန်း: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GB10SLT12-214

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1651

GB10SLT12-220

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7775

diode အမျိုးအစား: Silicon Carbide Schottky, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1200V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 10A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.8V @ 10A, မြန်နှုန်း: No Recovery Time > 500mA (Io), ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးအချိန် (trr): 0ns,

MBRH30030RL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1344

diode အမျိုးအစား: Schottky, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 30V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 300A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 580mV @ 300A, မြန်နှုန်း: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GKN26/14

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12907

diode အမျိုးအစား: Standard, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1400V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 25A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.55V @ 60A, မြန်နှုန်း: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBRH30020L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1318

diode အမျိုးအစား: Schottky, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 20V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 300A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 580mV @ 300A, မြန်နှုန်း: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRH20045L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1367

diode အမျိုးအစား: Schottky, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 45V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 200A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 600mV @ 200A, မြန်နှုန်း: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GAP3SLT33-220FP

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4393

diode အမျိုးအစား: Silicon Carbide Schottky, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 3300V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 300mA, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.7V @ 300mA, မြန်နှုန်း: No Recovery Time > 500mA (Io), ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးအချိန် (trr): 0ns,

MBRH20030RL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1318

diode အမျိုးအစား: Schottky, Reverse Polarity, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 30V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 200A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 580mV @ 200A, မြန်နှုန်း: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GB01SLT12-252

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 20729

diode အမျိုးအစား: Silicon Carbide Schottky, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1200V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 1A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.8V @ 1A, မြန်နှုန်း: No Recovery Time > 500mA (Io), ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးအချိန် (trr): 0ns,

MBRH20040L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5076

diode အမျိုးအစား: Schottky, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 40V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 200A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 600mV @ 200A, မြန်နှုန်း: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GB01SLT12-214

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 33295

diode အမျိုးအစား: Silicon Carbide Schottky, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1200V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 2.5A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.8V @ 1A, မြန်နှုန်း: No Recovery Time > 500mA (Io), ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးအချိန် (trr): 0ns,

GB02SLT12-252

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 37881

diode အမျိုးအစား: Silicon Carbide Schottky, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1200V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 5A (DC), ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.8V @ 2A, မြန်နှုန်း: No Recovery Time > 500mA (Io), ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးအချိန် (trr): 0ns,

GB05SLT12-252

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 17108

diode အမျိုးအစား: Silicon Carbide Schottky, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1200V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 5A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 1.8V @ 2A, မြန်နှုန်း: No Recovery Time > 500mA (Io), ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးအချိန် (trr): 0ns,

GB10SLT12-252

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9012

diode အမျိုးအစား: Silicon Carbide Schottky, ဗို့အား - DC ပြောင်းပြန် (Vr) (အမြင့်ဆုံး): 1200V, လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ Rectified (Io): 10A, ဗို့အား - အကယ်။ @ လျှင်ရှေ့သို့ (Vf) (မက်စ်): 2V @ 10A, မြန်နှုန်း: No Recovery Time > 500mA (Io), ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးအချိန် (trr): 0ns,