စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

IXTA100N04T2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 38647

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7 mOhm @ 25A, 10V,

IXFN27N80Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2343

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 800V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 27A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 320 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFT50N20

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7065

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 50A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 25A, 10V,

IXFX180N10

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4376

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 180A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 mOhm @ 90A, 10V,

IXTN200N10T

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2792

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,

IXFN100N50Q3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1514

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 82A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 49 mOhm @ 50A, 10V,

IXTH86N20T

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 16212

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 86A (Tc),

IXTU01N100

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 34476

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1000V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 Ohm @ 100mA, 10V,

IXFT58N20

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5974

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 58A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 40 mOhm @ 29A, 10V,

IXTQ86N20T

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 16797

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 86A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 29 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFK320N17T2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3185

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 170V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 320A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.2 mOhm @ 60A, 10V,

IXFN180N20

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1768

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 180A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTA1N120P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 23115

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 Ohm @ 500mA, 10V,

IXTH36P15P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 11674

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 36A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 110 mOhm @ 18A, 10V,

IXFN21N100Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2831

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1000V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 21A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 500 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFH28N60P3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 14095

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 28A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 260 mOhm @ 14A, 10V,

IXFR16N80P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7939

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide),

IXFX420N10T

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5685

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 420A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.6 mOhm @ 60A, 10V,

IXFN40N90P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3001

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 900V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 33A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 210 mOhm @ 20A, 10V,

IXTA3N120TRL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 19555

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

IXTX6N200P3HV

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1302

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 2000V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 Ohm @ 3A, 10V,

IXTQ26N60P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12116

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 26A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 270 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTH68P20T

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6359

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 68A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 55 mOhm @ 34A, 10V,

IXTQ96N15P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 15750

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 96A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTY02N50D

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 14890

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200mA (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 Ohm @ 50mA, 0V,

IXFA3N120TRL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 17445

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

IXFT88N28P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 8191

IXFP12N65X2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 235

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 650V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 310 mOhm @ 6A, 10V,

IXTU8N70X2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 26902

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 700V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 500 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFH80N25X3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 8335

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 250V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 80A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 16 mOhm @ 40A, 10V,

IXFN170N10

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2010

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 170A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFN39N90

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1458

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 900V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 39A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 220 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFN100N65X2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 208

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 650V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 78A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 mOhm @ 50A, 10V,

IXFT14N80P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12560

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 800V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 14A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 720 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFN34N80

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2274

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 800V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 34A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 240 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFK64N50P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5421

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 64A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 85 mOhm @ 32A, 10V,