စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

နေအိမ်
စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

TP2540N3-G-P002

Microchip Technology

TP2540N3-G-P002

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 65888

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 400V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 86mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

VN10KN3-G-P003

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 174415

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 310mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

LND150N3-G-P002

Microchip Technology

LND150N3-G-P002

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 183557

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 0V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Wishlist

TN0604N3-G-P005

Microchip Technology

TN0604N3-G-P005

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 87196

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 700mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

MCP87055T-U/LC

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 166136

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 60A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist

TN0620N3-G-P014

Microchip Technology

TN0620N3-G-P014

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 71164

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 250mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

VN2410L-G-P014

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 96918

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 240V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 190mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TN2124K1-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 145383

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 240V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 134mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15 Ohm @ 120mA, 4.5V,

Wishlist

Microchip Technology

VP2450N8-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 58167

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 160mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TP2522N8-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 71202

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 220V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 260mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TN5335K1-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 124592

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 350V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 110mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TP5322N8-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 145311

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 220V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 260mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

DN3535N8-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 136838

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 350V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 230mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 0V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 Ohm @ 150mA, 0V,

Wishlist

TP0606N3-G-P002

Microchip Technology

TP0606N3-G-P002

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 102565

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 320mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TN5325N8-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 158539

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 250V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 316mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist

TN5325N3-G-P002

Microchip Technology

TN5325N3-G-P002

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 145391

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 250V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 215mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist

TP0606N3-G-P003

Microchip Technology

TP0606N3-G-P003

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 102649

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 320mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TP2510N8-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 81155

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 480mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TN0106N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 93893

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 350mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TP0604N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 57712

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 430mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

VN3205N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 56360

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 50V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.2A (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 300 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

VN4012L-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 47260

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 400V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 160mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist

Microchip Technology

VP2206N2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5360

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 750mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TP2540N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 52692

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 400V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 86mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

DN3545N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 104685

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 450V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 136mA, Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 0V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

Wishlist

Microchip Technology

TP2640N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 45489

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 400V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 180mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TN0610N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 73267

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 500mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TP0620N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 52772

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 175mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

VN2450N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 64862

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TP2635N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 47311

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 350V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 180mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

VN0606L-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 62684

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 330mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

VN2460N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 62683

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 160mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

VN0808L-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 62599

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 300mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

TN0606N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 93941

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 500mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

VP2450N3-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 46076

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist

Microchip Technology

DN2540N5-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 53451

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 400V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 500mA (Tj), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 0V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Wishlist

185

«
1
2
3
4
5
6
»