Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

APTC60TDUM35PG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 688

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 72A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

APTM10AM05FTG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 820

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 278A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 5mA,

APTC60HM70RT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1479

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 39A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60HM45T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1300

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 49A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTC80TA15PG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1022

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 800V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 28A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 2mA,

APTC80H29T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2362

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 800V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 1mA,

APTM50HM75SCTG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 667

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 46A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTMC120AM20CT1AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 173

FET အမျိုးအစား: 2 N Channel (Phase Leg), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 143A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ),

APTM120A20DG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 538

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 50A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 6mA,

APTC60AM45T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 293

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 49A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTMC120TAM34CT3AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 251

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 74A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 15mA,

APTM50DDAM65T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1269

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 51A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC60DDAM24T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1114

FET အမျိုးအစား: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 95A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 5mA,

APTM10DSKM19T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1965

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 70A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 1mA,

APTM20AM06SG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 553

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 300A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 6mA,

APTC60DDAM45T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1722

FET အမျိုးအစား: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 49A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTM100H18FG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 404

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1000V (1kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 43A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 5mA,

APTM100H35FT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 784

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1000V (1kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 22A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM20TAM16FPG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 537

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 104A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM20AM08FTG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 774

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 208A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 5mA,

APTC80A15SCTG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 987

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 800V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 28A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 2mA,

APTM10DHM05G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 750

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 278A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 5mA,

APTM50HM75STG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 723

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 46A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM20AM04FG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 346

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 372A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 10mA,

APTC60AM18SCG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 415

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 143A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18 mOhm @ 71.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 4mA,

APTM100A13SG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 445

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1000V (1kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 65A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 6mA,

APTM50AM24SG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 446

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 150A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 6mA,

APTMC120AM55CT1AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 412

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 55A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ),

APTM120H57FTG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3119

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 17A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50DHM35G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3087

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 99A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 5mA,

APTMC120HRM40CT3AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3001

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 73A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 12.5mA,

APTC60DSKM45CT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2944

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Super Junction, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 49A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTM20DHM16T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2948

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 104A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM100VDA35T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3387

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1000V (1kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 22A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTJC120AM25VCT1AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3378

APTMC120HR11CT3AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2997

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 26A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 5mA,