စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

BUK9Y15-100E,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 141752

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 69A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14.7 mOhm @ 20A, 10V,

BUK9Y07-30B,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 169093

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 75A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7Y08-40B,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 193535

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 75A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9M156-100EX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 188739

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.3A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 150 mOhm @ 5A, 10V,

BUK9M11-40EX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 120738

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 53A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9 mOhm @ 15A, 10V,

BUK7Y153-100EX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 112638

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.4A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 153 mOhm @ 2A, 10V,

BUK7M19-60EX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 170787

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 35.8A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 19 mOhm @ 10A, 10V,

BUK9Y8R7-60E,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 189165

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 86A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

BUK7Y25-60EX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 129263

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 34A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 10A, 10V,

BUK9Y12-40E,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 180907

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 52A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 15A, 10V,

BUK9Y3R5-40E,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 174058

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9Y14-80E,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 176286

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 62A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14 mOhm @ 15A, 10V,

BUK9Y113-100E,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 170951

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 110 mOhm @ 5A, 10V,

BUK7Y6R0-60EX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 141677

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9606-75B,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 61591

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 75V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 75A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.5 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9616-75B,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 115339

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 75V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 67A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14 mOhm @ 25A, 10V,

BUK764R4-60E,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 72286

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

BUK965R8-100E,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 47682

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 120A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.8 mOhm @ 25A, 5V,

BUK7C06-40AITE,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2305

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 75A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6 mOhm @ 50A, 10V,

BSS84AK-BR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6276

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 50V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 180mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

BSS138BKW-BX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2244

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 320mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.6 Ohm @ 320mA, 10V,

BSS138AKA/LF1R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2276

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V,

BSS123/LF1R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2214

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 150mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6 Ohm @ 120mA, 10V,

BUK6207-55C,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 133418

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 55V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 90A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

BUK6215-75C,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 190677

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 75V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 57A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15 mOhm @ 15A, 10V,

BUK929R1-60EJ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2150

BUK9234-100EJ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2107

BUK9230-80EJ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2080

BUK9223-60EJ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2120

BUK9222-100EJ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2069

BUK9216-100EJ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2091

BUK9213-60EJ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6246

BUK9214-80EJ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2115

BUK78150-55A/CUX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135332

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 55V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.5A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 150 mOhm @ 5A, 10V,

BUK9E08-55B,127

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 42596

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 55V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 75A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9880-55/CUF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 144804

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 55V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.5A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 5A, 5V,