Menu
မြန်မာမြန်မာ
rfqs / အမိန့်
0rfqs / အမိန့်

Transistor - Bipolar (BJT) - ကြိုတင်ဘက်လိုက်မှုတစ်

  • နေအိမ်
  •  
  • Transistor - Bipolar (BJT) - ကြိုတင်ဘက်လိုက်မှုတစ်
PDTA123EE,115
NXP USA Inc.

PDTA123EE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2174

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Wishlist
PDTC143XEF,115
NXP USA Inc.

PDTC143XEF,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2286

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist
PDTC144WE,115
NXP USA Inc.

PDTC144WE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2179

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Wishlist
PDTA143EE,115
NXP USA Inc.

PDTA143EE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2169

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist
PDTA124TE,115
NXP USA Inc.

PDTA124TE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2201

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
PDTC115TE,115
NXP USA Inc.

PDTC115TE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3281

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
PDTA113ZE,115
NXP USA Inc.

PDTA113ZE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2209

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 1 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Wishlist
PDTA114EK,115
NXP USA Inc.

PDTA114EK,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2166

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist
PDTC143XE,115
NXP USA Inc.

PDTC143XE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2183

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist
PDTC115EEF,115
NXP USA Inc.

PDTC115EEF,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3255

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 20mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wishlist
PDTC144TE,115
NXP USA Inc.

PDTC144TE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2239

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
PDTA114TEF,115
NXP USA Inc.

PDTA114TEF,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2225

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wishlist
PDTA124TK,115
NXP USA Inc.

PDTA124TK,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2202

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
PDTC143TE,115
NXP USA Inc.

PDTC143TE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2151

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wishlist
PDTC114YEF,115
NXP USA Inc.

PDTC114YEF,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3300

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Wishlist
PDTA114EE,115
NXP USA Inc.

PDTA114EE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3290

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist
PDTC124TE,115
NXP USA Inc.

PDTC124TE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2216

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
PDTC114TE,115
NXP USA Inc.

PDTC114TE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2211

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wishlist
PDTA143ZE,115
NXP USA Inc.

PDTA143ZE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2216

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Wishlist
PDTA114YE,115
NXP USA Inc.

PDTA114YE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2192

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Wishlist
PDTC143ZEF,115
NXP USA Inc.

PDTC143ZEF,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2217

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Wishlist
PDTA115TE,115
NXP USA Inc.

PDTA115TE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2159

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
PDTA114TK,135
NXP USA Inc.

PDTA114TK,135

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3267

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wishlist
PDTC114TEF,115
NXP USA Inc.

PDTC114TEF,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2278

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wishlist
PDTC123EEF,115
NXP USA Inc.

PDTC123EEF,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2216

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Wishlist
PDTA124XE,115
NXP USA Inc.

PDTA124XE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2218

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wishlist
PDTA143EEF,115
NXP USA Inc.

PDTA143EEF,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2199

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist
PDTC114EE,115
NXP USA Inc.

PDTC114EE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2162

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist
PDTC114YE,115
NXP USA Inc.

PDTC114YE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2195

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Wishlist
PDTC144EE,115
NXP USA Inc.

PDTC144EE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2235

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wishlist
PDTA143ZEF,115
NXP USA Inc.

PDTA143ZEF,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2240

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Wishlist
PDTA123TE,115
NXP USA Inc.

PDTA123TE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2214

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Wishlist
PDTA113EE,115
NXP USA Inc.

PDTA113EE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2143

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 1 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 1 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V,

Wishlist
PDTC123EE,115
NXP USA Inc.

PDTC123EE,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2202

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Wishlist
PDTA115EK,115
NXP USA Inc.

PDTA115EK,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2291

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 20mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wishlist
PDTC144EE,135
NXP USA Inc.

PDTC144EE,135

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2155

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wishlist