စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

FDC642P-F085

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9919

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 65 mOhm @ 4A, 4.5V,

FDMC86260

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 82241

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.4A (Ta), 16A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 34 mOhm @ 5.4A, 10V,

NTMFS4925NET1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1372

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.7A (Ta), 48A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6 mOhm @ 30A, 10V,

NVTFS5826NLTWG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 160132

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.6A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 10A, 10V,

NTP6448ANG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 922

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 80A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 13 mOhm @ 76A, 10V,

MTD6N20ET5G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1169

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 700 mOhm @ 3A, 10V,

NTD4863NA-35G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 856

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.2A (Ta), 49A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

FQB34P10TM-F085

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10640

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 33.5A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 16.75A, 10V,

NTD4909N-1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 904

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8.8A (Ta), 41A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 mOhm @ 30A, 10V,

FDMS0308CS

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 981

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 22A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 mOhm @ 21A, 10V,

NTMFS4898NFT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1018

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 13.2A (Ta), 117A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 mOhm @ 30A, 10V,

NTB6411ANT4G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 970

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 77A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14 mOhm @ 72A, 10V,

FDP8443-F085

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 999

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A (Ta), 80A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.5 mOhm @ 80A, 10V,

NDD05N50Z-1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 872

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.7A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

NTMFS4946NT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 946

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12.7A (Ta), 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

NTD4909N-35G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 837

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8.8A (Ta), 41A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 mOhm @ 30A, 10V,

NTD5865NL-1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 933

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 46A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 16 mOhm @ 20A, 10V,

NTTFSC4823NTAG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 983

NTD6414AN-1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 850

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 32A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 37 mOhm @ 32A, 10V,

NTMKE4892NT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 966

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 26A (Ta), 148A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.6 mOhm @ 24A, 10V,

NTD4959N-35G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 897

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A (Ta), 58A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9 mOhm @ 30A, 10V,

FQPF19N20CYDTU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6107

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 19A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 170 mOhm @ 9.5A, 10V,

FQA24N50_F109

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1032

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 24A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 200 mOhm @ 12A, 10V,

FDFMJ2P023Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1004

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.9A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 112 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

NTLUS3192PZTBG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5684

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.2A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 86 mOhm @ 3A, 4.5V,

CPH3457-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1152

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 95 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

EC4401C-TL

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1120

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 150mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

NTTFSC4821NTAG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 997

NVD5802NT4G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1005

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 16.4A (Ta), 101A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.4 mOhm @ 50A, 10V,

NDF05N50ZG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 176495

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.5A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

NTD4860NA-35G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 920

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10.4A (Ta), 65A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

NTMFS4826NET3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1110

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A (Ta), 66A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

NTTFS4941NTAG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 916

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8.3A (Ta), 46A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.2 mOhm @ 20A, 10V,

NTD4959N-1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 907

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A (Ta), 58A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9 mOhm @ 30A, 10V,

NTD4906N-1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 847

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10.3A (Ta), 54A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

FCP380N60

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 72742

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10.2A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 380 mOhm @ 5A, 10V,