Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 1.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, အမြတ်: 13dB @ 0.4GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 400mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 1.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, အမြတ်: 13dB @ 0.4GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 8V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 1.5GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 400mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 8V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 1.5GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 1.7GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz, အမြတ်: 16dB, ပါဝါ - မက်စ်: 100mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 4V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 10GHz ~ 12.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, အမြတ်: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 100mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 8GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, အမြတ်: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 100mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 7GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, အမြတ်: 12dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 4.7GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, အမြတ်: 8dB, ပါဝါ - မက်စ်: 1.3W,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 7GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, အမြတ်: 12dB, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 8GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz, အမြတ်: 10dB, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 7GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, အမြတ်: 12dB, ပါဝါ - မက်စ်: 100mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 6.7GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, အမြတ်: 9dB, ပါဝါ - မက်စ်: 800mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 5.2GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, အမြတ်: 10.5dB @ 1GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 100mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 6V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 2.6dB ~ 1.9dB @ 1GHz, အမြတ်: 7dB ~ 10.5dB @ 1GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 90mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 7GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, အမြတ်: 12dB ~ 8.5dB @ 1GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 100mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 7GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, အမြတ်: 13dB, ပါဝါ - မက်စ်: 500mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 2.1GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz, အမြတ်: 1.5dB, ပါဝါ - မက်စ်: 350mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 15V, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, အမြတ်: 15dB, ပါဝါ - မက်စ်: 350mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 3.5GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 1.3W,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 4.5GHz ~ 5.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, အမြတ်: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz, ပါဝါ - မက်စ်: 250mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 4.5GHz ~ 5.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, အမြတ်: 10dB @ 1GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 400mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 4.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, အမြတ်: 9.5dB, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 1.1GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 350mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 25V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 1.1GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 350mW,
