စစ္ - Bipolar (BJT) - Array များ

NSS40300DDR2G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 115078

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 170mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

HN1B01FDW1T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 165648

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 2µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

MCH6536-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6450

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 700mA, 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 15V, 12V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 200mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

FMBM5551

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 187576

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 200mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

MBT3904DW1T1H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 101843

NSV60100DMTWTBG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 119511

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 100mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

NSVT30010MXV6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 190882

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

SBC847CDXV6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 134785

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

NSV40301MDR2G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 122484

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 115mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V,

NST3906DXV6T1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4385

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

CPH6531-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 152523

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 380mV @ 10mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

NJX1675PDR2G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6488

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

SBC847BDW1T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 151025

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

NSVBT2222ADW1T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 182252

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

EMZ1DXV6T1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4400

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

MMPQ3906

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 90757

Transistor အမျိုးအစား: 4 PNP (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MMPQ3904

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 96873

Transistor အမျိုးအစား: 4 NPN (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

EMZ1DXV6T5

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4432

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

CPH5518-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191552

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 190mV @ 10mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

NST45010MW6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 101769

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual) Matched Pair, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 650mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

MBT3946DW1T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 160969

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MBT3904DW2T1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4430

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

EMX1DXV6T1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4444

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

SBC847BPDW1T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 100387

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

FTM3725

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6443

Transistor အမျိုးအစား: 4 NPN (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 950mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

NSVMBT3904DW1T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 153046

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MBT3906DW1T1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4445

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

CPH5504-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 197322

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 210mV @ 100mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

NSS60100DMTTBG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 164414

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

CPH6538-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 120549

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 700mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 190mV @ 10mA, 200mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

FFB3906

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 188837

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

NSVT45010MW6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 147625

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 650mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

NSVEMT1DXV6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 104954

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500pA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

FMB200

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 178294

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 20mA, 200mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V,

ECH8503-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 196920

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 190mV @ 125mA, 2.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

FFB2227A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 142400

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.4V @ 30mA, 300mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 30nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,