Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

FDS8926A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2702

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

FDW2502P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2769

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2508P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2776

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDD8424H-F085A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2940

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A, 6.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC6612R-A-TF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2936

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ECH8652-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2893

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 3A, 4.5V,

NTHD4102PT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2764

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI9936DY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2776

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

NDC7002N_SB9G007

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2756

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 50V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 510mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2 Ohm @ 510mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FW906-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2911

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 8A, 10V,

VEC2315-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2838

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 137 mOhm @ 1.5A, 10V,

EMH2314-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 198673

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 37 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

NTLJD3183CZTBG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2772

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.6A, 2.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

NTHC5513T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 148927

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.9A, 2.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NVJD5121NT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 163473

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 295mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

MCH6606-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2897

EFC6611R-TF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 136094

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NTHD3100CT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 110314

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.9A, 3.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDS8958

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2722

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

FDC6020C_F077

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2752

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.9A, 4.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6036P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3318

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDD8424H_F085

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2811

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A, 6.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

USB10H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2674

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

MCH6662-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2857

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 160 mOhm @ 1A, 4.5V,

MCH6613-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 167978

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 350mA, 200mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

FDG6313N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2667

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 500mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMFD4C88NT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 36648

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11.7A, 14.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTLJD2104PTAG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2796

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 800mV @ 250µA,

FDG6304P_D87Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2747

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 410mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5489NLT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 103434

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

EMH2412-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2854

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 24V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 27 mOhm @ 3A, 4.5V,

NTZD3156CT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2797

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 540mA, 430mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

HUFA76504DK8T

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2775

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 200 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC4627R-A-TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 134119

NSTJD1155LT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2852

ECH8659-M-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2889

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 4V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,