Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 6GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz, အမြတ်: 11dB ~ 14dB, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 8V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 1.1GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 6GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz, အမြတ်: 11dB ~ 14dB, ပါဝါ - မက်စ်: 125mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 250MHz, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 6GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 800MHz, အမြတ်: 13dB, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: PNP, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 300MHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, ပါဝါ - မက်စ်: 125mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 230MHz, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 1.6GHz, အမြတ်: 20dB, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 4.5GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz, အမြတ်: 9dB ~ 12dB, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 650MHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, အမြတ်: 24dB, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 250MHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, ပါဝါ - မက်စ်: 200mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 6GHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz, အမြတ်: 7.5dB ~ 10dB, ပါဝါ - မက်စ်: 1W,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 650MHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, အမြတ်: 24dB, ပါဝါ - မက်စ်: 125mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 250MHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, ပါဝါ - မက်စ်: 125mW,
Transistor အမျိုးအစား: PNP, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 250MHz, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 230MHz, ပါဝါ - မက်စ်: 125mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 250MHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 650MHz, ဆူညံသံပုံ (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, အမြတ်: 24dB, ပါဝါ - မက်စ်: 150mW,
Transistor အမျိုးအစား: NPN, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 10V, ကြိမ်နှုန်း - အသွင်ကူးပြောင်းမှု: 1.9GHz, ပါဝါ - မက်စ်: 125mW,
