စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

NP32N055SDE-E1-AZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6240

NP180N04TUJ-E2-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5682

NP32N055SLE-E1-AZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2413

NP48N055KHE-E1-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2476

NP40N10VDF-E1-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2461

NP28N10SDE-E1-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2421

NP48N055ZLE(1)W-U

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2473

NP110N055PUJ-E1B-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2463

RJK0353DPA-WS#J0B

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2342

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 35A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.2 mOhm @ 17.5A, 10V,

NP75N04YUG-E1-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 83584

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 75A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.8 mOhm @ 37.5A, 10V,

N0100P-T1-AT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2393

NP40N055KHE-E1-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2437

NP48N055ZHE(1)W-U

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2384

N0300N-T1B-AT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2211

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 2A, 10V,

NP60N03SUG(1)-E1-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2424

NP22N055SLE(1)-E1-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2387

NP110N055PUG(1)-E1-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2445

NP22N055SLE-E1-AZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2436

N0301P-T1-AT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2472

NP160N04TUJ-E2-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2459

NP160N055TUJ-E2-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6337

N0302P-T1-AT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2466

N0300P-T1B-AT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2446

NP55N055SDG-E2-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2409

NP80N04KHE-E1-AZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2452

NP22N055SLE-E2-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6241

NP109N04PUJ-E2B-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2408

RJK5015DPK-00#T0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12917

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 25A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 240 mOhm @ 12.5A, 10V,

UPA2739T1A-E2-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 91517

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 85A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.7 mOhm @ 23A, 4.5V,

UPA2813T1L-E1-AT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 137549

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 27A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.2 mOhm @ 27A, 10V,

RJK5002DPD-00#J2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1979

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 Ohm @ 1.2A, 10V,

RJK0349DSP-01#J0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2004

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.8 mOhm @ 10A, 10V,

H7N1002LSTL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1965

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 75A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 37.5A, 10V,

RQK0607AQDQS#H1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1991

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

HAT2299WP-EL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1933

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 14A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 110 mOhm @ 7A, 10V,

UPA2766T1A-E1-AY

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1812

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 130A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.82 mOhm @ 39A, 4.5V,