Menu
မြန်မာမြန်မာ
rfqs / အမိန့်
0rfqs / အမိန့်

Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

TPCL4202(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4202(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2949

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Wishlist
TPCF8304(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8304(TE85L,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2938

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 72 mOhm @ 1.6A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 1mA,

Wishlist
SSM6L13TU(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L13TU(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2912

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 800mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist
SSM6N48FU,RF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF(D

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2967

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Wishlist
SSM6N68NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N68NU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 16268

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist
SSM6N35AFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9923

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 250mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 100µA,

Wishlist
SSM6N42FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N42FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2976

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 800mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 240 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist
SSM6N815R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9939

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 4V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 103 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 100µA,

Wishlist
SSM6L35FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FE,LM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 172252

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 180mA, 100mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist
SSM6N67NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N67NU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9963

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 39.1 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist
SSM6N35AFE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFE,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13256

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 250mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 100µA,

Wishlist
SSM6P35FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE,LM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 173905

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist
SSM6P15FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P15FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13232

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.7V @ 100µA,

Wishlist
SSM6N37CTD(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37CTD(TPL3)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2957

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 250mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist
SSM6P41FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P41FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13283

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 720mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist
TPC8405(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8405(TE12L,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3098

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 26 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 1mA,

Wishlist
SSM6N357R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N357R,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 16211

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 650mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 1mA,

Wishlist
SSM6P35FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 121978

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist
SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FU(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 156233

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 180mA, 100mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist
SSM6L61NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L61NU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 154751

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A,

Wishlist
SSM6N48FU,RF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3013

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Wishlist
SSM6N7002BFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 154781

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.1V @ 250µA,

Wishlist
SSM6N61NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N61NU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 117701

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 33 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist
SSM6P49NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P49NU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 154268

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 1mA,

Wishlist
SSM6N16FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N16FUTE85LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9999

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.1V @ 100µA,

Wishlist
SSM6L36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L36FE,LM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 107404

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 500mA, 330mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist
TPCP8203(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8203(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2780

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.7A, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist
SSM6N7002BFE(T5L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE(T5L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2844

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.1V @ 250µA,

Wishlist
TPC8211(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8211(TE12L,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2801

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 36 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist
TPC8213-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8213-H(TE12LQ,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2813

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.3V @ 1mA,

Wishlist
TPC8208(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2694

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Wishlist
TPCF8201(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8201(TE85L,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2756

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Wishlist
TPC8212-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8212-H(TE12LQ,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2781

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 21 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.3V @ 1mA,

Wishlist
TPCP8401(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8401(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3345

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA, 5.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.1V @ 100µA,

Wishlist
TPC8208(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2829

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Wishlist
TPC8207(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2650

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Wishlist