စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို | Discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ | 100

SUP90N15-18P-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1124

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 90A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI3407DV-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1016

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI1433DH-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1063

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.9A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 150 mOhm @ 2.2A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SUP40P10-43-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1112

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 36A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 43 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SIE848DF-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1064

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 60A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SUD08P06-155L-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1047

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8.4A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 155 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI5456DU-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 971

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 9.3A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI7860ADP-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1095

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9.5 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI7138DP-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6189

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.8 mOhm @ 19.7A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI6466ADQ-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1086

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.8A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14 mOhm @ 8.1A, 4.5V,

Wishlist

Vishay Siliconix

IRFR9310TRRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1024

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 400V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.8A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7 Ohm @ 1.1A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI5404BDC-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 158530

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4886DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6200

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI2323DS-T1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 887

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.7A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4362BDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1012

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 29A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.6 mOhm @ 19.8A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SUD50N03-11-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1064

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 50A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SUD40N02-08-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1145

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.5 mOhm @ 20A, 4.5V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4324DY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1041

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 36A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

IRFR1N60ATRRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1076

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.4A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4636DY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1027

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 17A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SUD50N10-18P-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1088

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8.2A (Ta), 50A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI8475EDB-T1-E1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 152943

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 32 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4324DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1085

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 36A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4487DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 113240

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11.6A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4406DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1063

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 13A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SUP90N08-7M7P-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1127

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 75V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 90A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.7 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SUD50N03-16P-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1090

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 16 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SUV85N10-10-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1149

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 85A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4470EY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 947

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4886DY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1086

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4660DY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1105

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23.1A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI1031X-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1023

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 155mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI5406DC-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1031

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.9A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 6.9A, 4.5V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4858DY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1097

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 13A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.25 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI1450DH-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1050

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.53A (Ta), 6.04A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 47 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist

Vishay Siliconix

SUP90N03-03-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1067

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 90A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.9 mOhm @ 28.8A, 10V,

Wishlist