စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

SI4850EY-T1-E3

SI4850EY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 107360

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 22 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist
SUM85N15-19-E3

SUM85N15-19-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21174

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 85A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 19 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
SI1416EDH-T1-GE3

SI1416EDH-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 158008

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.9A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 58 mOhm @ 3.1A, 10V,

Wishlist
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 110004

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.6A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 29 mOhm @ 5.4A, 10V,

Wishlist
SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 8323

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 650V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 24A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 145 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist
SI3437DV-T1-E3

SI3437DV-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 195409

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.4A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

Wishlist
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 150412

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11.4A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 9.1A, 10V,

Wishlist
IRF9510STRLPBF

IRF9510STRLPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 98611

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V,

Wishlist
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 188197

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.1A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 53 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist
SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 180871

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 16A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 165803

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 78 mOhm @ 1.8A, 4.5V,

Wishlist
SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106667

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 60A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist
SI2328DS-T1-GE3

SI2328DS-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 115518

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.15A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 250 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist
SUM50020E-GE3

SUM50020E-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 8142

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 120A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.2 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 8223

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 21A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist
SQ2389ES-T1_GE3

SQ2389ES-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 193825

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.1A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 94 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist
SQ2361ES-T1_GE3

SQ2361ES-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 142939

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.8A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 177 mOhm @ 2.4A, 10V,

Wishlist
SI7117DN-T1-E3

SI7117DN-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 61561

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.17A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist
SIE812DF-T1-E3

SIE812DF-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 40390

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 60A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist
IRLD120PBF

IRLD120PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 87218

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.3A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 270 mOhm @ 780mA, 5V,

Wishlist
SIA468DJ-T1-GE3

SIA468DJ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 130444

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 37.8A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.4 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist
SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 33737

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 158 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist
SIHP24N65EF-GE3

SIHP24N65EF-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 22721

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 650V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 24A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 156 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist
SIHB33N60ET1-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 8399

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 33A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

Wishlist
SQP100P06-9M3L_GE3

SQP100P06-9M3L_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5649

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
SI7374DP-T1-E3

SI7374DP-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 43956

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 24A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.5 mOhm @ 23.8A, 10V,

Wishlist
SQV120N10-3M8_GE3

SQV120N10-3M8_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 8171

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 120A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
SQ4840EY-T1_GE3

SQ4840EY-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 46405

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20.7A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist
SIE818DF-T1-GE3

SIE818DF-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 35077

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 75V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 60A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9.5 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist
SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 141968

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

Wishlist
SIHH27N60EF-T1-GE3

SIHH27N60EF-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 8391

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 29A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 100 mOhm @ 13.5A, 10V,

Wishlist
SUM45N25-58-E3

SUM45N25-58-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 37140

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 250V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 45A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 58 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
SUM90142E-GE3

SUM90142E-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 37829

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 90A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
SIHH26N60EF-T1-GE3

SIHH26N60EF-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 19158

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 24A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 141 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist
SQP120N10-09_GE3

SQP120N10-09_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 8350

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 120A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 181822

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 350mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V,

Wishlist