စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

SIHU3N50D-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 183482

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V,

SI4426DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 108082

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

IRFP344

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 19691

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 450V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 630 mOhm @ 5.7A, 10V,

SI2309CDS-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 130102

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.6A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 345 mOhm @ 1.25A, 10V,

IRLIZ44G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 37034

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 18A, 5V,

SIHA15N60E-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21705

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 280 mOhm @ 8A, 10V,

SI4829DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 167514

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 215 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

SI4668DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139878

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 16.2A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

IRFP27N60K

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5026

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 27A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 220 mOhm @ 16A, 10V,

IRFIBC40G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 14814

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.5A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.2 Ohm @ 2.1A, 10V,

SI6415DQ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 101842

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 19 mOhm @ 6.5A, 10V,

SI5443DC-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 121926

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.6A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 65 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

SIHF16N50C-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 20516

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 16A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 380 mOhm @ 8A, 10V,

SIE802DF-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 37721

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 60A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.9 mOhm @ 23.6A, 10V,

SI7308DN-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139888

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 58 mOhm @ 5.4A, 10V,

SI7846DP-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 51978

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 5A, 10V,

SI4436DY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 176190

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 36 mOhm @ 4.6A, 10V,

IRFR420TRRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 93135

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.4A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

IRFR010TRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 112496

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 50V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8.2A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

SI7120ADN-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 99158

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 21 mOhm @ 9.5A, 10V,

SI7159DP-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 101251

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7 mOhm @ 15A, 10V,

IRF734

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 48390

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 450V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.9A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.2 Ohm @ 2.9A, 10V,

SIHP14N50D-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 48388

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 14A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 400 mOhm @ 7A, 10V,

SI4196DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 108148

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 27 mOhm @ 8A, 4.5V,

SIHP10N40D-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 37409

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 400V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 600 mOhm @ 5A, 10V,

SI7414DN-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 128179

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.6A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 8.7A, 10V,

IRFI820G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 22280

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.1A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 Ohm @ 1.3A, 10V,

IRFP22N60KPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 8276

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 22A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 280 mOhm @ 13A, 10V,

IRFZ10PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 42374

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 200 mOhm @ 6A, 10V,

SI7450DP-T1-RE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135

SI3127DV-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 164595

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.5A (Ta), 13A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 89 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

SI5424DC-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 167621

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 4.8A, 10V,

SI7868ADP-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 30910

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.25 mOhm @ 20A, 10V,

VS-FC420SA10

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 159

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 435A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.15 mOhm @ 200A, 10V,

VS-FA72SA50LC

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2626

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 72A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 34A, 10V,

VS-FA40SA50LC

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3254

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 130 mOhm @ 23A, 10V,