Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ | Discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ | 18

SI7216DN-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 113546

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 32 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4963BDY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 147270

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI1926DL-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 137693

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 370mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SQJQ906E-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 8627

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 95A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4542DY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5348

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Wishlist

Vishay Siliconix

SIZ320DT-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9923

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30A (Tc), 40A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SIZ926DT-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 127180

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A (Tc), 60A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SIZ328DT-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 221

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SIZF916DT-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 281

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A (Ta), 40A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI7905DN-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 73624

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI1900DL-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 337

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 630mA (Ta), 590mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SISB46DN-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 104289

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 34A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11.71 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SIZ988DT-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 16265

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A (Tc), 60A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI6913DQ-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 71472

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 900mV @ 400µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4670DY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139946

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI5922DU-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 127635

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 19.2 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SIZ348DT-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 277

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 18A (Ta), 30A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.12 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SIA931DJ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 160155

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 65 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI5904DC-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2972

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4965DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3019

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 21 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Wishlist

Vishay Siliconix

SI1902CDL-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 181662

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 235 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SIA936EDJ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3020

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 34 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.3V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SQ4532AEY-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10809

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.3A (Tc), 5.3A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4532ADY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135915

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.7A, 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI7236DP-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 45599

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 60A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.2 mOhm @ 20.7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4936BDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 125167

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SIZ902DT-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 110652

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 16A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SIZ720DT-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 109371

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 16A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.7 mOhm @ 16.8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4200DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 161224

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SQJ560EP-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9941

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30A (Tc), 18A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4542DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2980

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Wishlist

Vishay Siliconix

SQJ941EP-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3133

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SQJ200EP-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 165186

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, 60A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.8 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SIZF906DT-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 98746

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 60A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI4963BDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 89691

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Wishlist

Vishay Siliconix

SI5517DU-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139934

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist