| ပုံနှိပ်စာ | ဖေါ်ပြချက် |
| အပိုင်းအခြေအနေ | Obsolete |
|---|---|
| FET အမျိုးအစား | N-Channel |
| နည်းပညာ | SiCFET (Silicon Carbide) |
| အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး | 1200V |
| လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id) | 50A (Tj) |
| Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs @ ဂိတ်တာဝန်ခံ (Qg) (မက်စ်) | 90.8nC @ 20V |
| Vgs (မက်စ်) | +25V, -5V |
| Vds @ Input Capacitance (Ciss) (မက်စ်) | 1915pF @ 800V |
| အင်္ဂါရပ် FET | - |
| ပါဝါဖြုန်းတီးခြင်း (မက်စ်) | 313mW (Tj) |
| Operating အပူချိန် | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| mounting အမျိုးအစား | Surface Mount |
| ပေးသွင်းပစ္စည်းကိရိယာအထုပ် | Die |
| အထုပ် / ဖြစ်ရပ်မှန် | Die |
| rohs status ကို | rohs လိုက်နာ |
|---|---|
| အစိုဓာတ် sensitivity ကိုအဆင့် (MSL) | မသက်ဆိုင်ပါ |
| lifecycle status ကို | အသက်သင်အရွယ်ခေတ်ကုန်လွန်နေသည် |
| ပစ္စည်းအမျိုးအစား | ရရှိနိုင်စတော့ရှယ်ယာ |
