Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.4GHz ~ 2.5GHz, အမြတ်: 14.1dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.3GHz, အမြတ်: 16dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 19.8dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.96GHz, အမြတ်: 18dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 18.6dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 230MHz, အမြတ်: 24dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 30MHz ~ 2.2GHz, အမြတ်: 18.4dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 1.88GHz, အမြတ်: 16dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 18dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.69GHz, အမြတ်: 16.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 3GHz, အမြတ်: 14dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel JFET, ကြိမ်နှုန်း: 400MHz, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 15V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 20mA, ဆူညံသံပုံ: 4dB,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 175MHz, အမြတ်: 14dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 50µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.02GHz, အမြတ်: 17.7dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.4GHz, အမြတ်: 15dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), Common Source, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 20dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.2GHz ~ 1.4GHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.11GHz ~ 2.17GHz, အမြတ်: 13.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 755MHz ~ 805MHz, အမြတ်: 23.6dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 48V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.17GHz, အမြတ်: 18.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 18GHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 40V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.99GHz, အမြတ်: 19dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 920MHz ~ 960MHz, အမြတ်: 19dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 500MHz, အမြတ်: 16.9dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 12.5V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 7A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 945MHz, အမြတ်: 14.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 5A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 500MHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 12.5V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 2.5A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 17.7dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 9A,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 0Hz ~ 2.2GHz, အမြတ်: 15dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 48V,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 2MHz ~ 100MHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 60A,
