Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 18dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 1.4GHz, အမြတ်: 17.7dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.14GHz, အမြတ်: 17.9dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 860MHz, အမြတ်: 21dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 20µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 920MHz, အမြတ်: 19.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 48V,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 920MHz, အမြတ်: 19dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.03GHz, အမြတ်: 20.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 2.17GHz, အမြတ်: 18.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 19.4dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 230MHz, အမြတ်: 26.1dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 450MHz, အမြတ်: 20dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 2.3GHz, အမြတ်: 14.6dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.03GHz, အမြတ်: 19.7dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.69GHz, အမြတ်: 15dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 2.62GHz ~ 2.69GHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 48V,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 4.5GHz ~ 6GHz, အမြတ်: 11dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 20dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 2.7GHz ~ 3.1GHz, အမြတ်: 13.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 24A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.88GHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 2.5GHz, အမြတ်: 21.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.88GHz, အမြတ်: 19dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.805GHz ~ 1.88GHz, အမြတ်: 16.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 1µA,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 1.2GHz ~ 1.4GHz, အမြတ်: 19.22dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 18.1A,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 1.03GHz ~ 1.09GHz, အမြတ်: 21.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 82A,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 100MHz ~ 500MHz, အမြတ်: 10dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 2.8A,
Transistor အမျိုးအစား: MESFET, ကြိမ်နှုန်း: 500MHz ~ 18GHz, အမြတ်: 6.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 3V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 120mA, ဆူညံသံပုံ: 1.8dB,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 500MHz, အမြတ်: 14.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 12.5V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 7A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 945MHz, အမြတ်: 15dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 5A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 870MHz, အမြတ်: 17.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 13.6V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 7A,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 3GHz ~ 3.5GHz, အမြတ်: 14.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
