Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.39GHz, အမြတ်: 14dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 3.1GHz ~ 3.5GHz, အမြတ်: 12dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 32V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 465MHz, အမြတ်: 21dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: pHEMT FET, ကြိမ်နှုန်း: 3.55GHz, အမြတ်: 9dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 6V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 21.4dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 22.7dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.93GHz, အမြတ်: 11.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 26V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 21dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.69GHz, အမြတ်: 16.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.93GHz, အမြတ်: 13.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 26V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 940MHz, အမြတ်: 21dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 470MHz, အမြတ်: 11.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 12.5V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.17GHz, အမြတ်: 18.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 16.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 26V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.93GHz ~ 1.99GHz, အမြတ်: 14dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 1.03GHz, အမြတ်: 20dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: pHEMT FET, ကြိမ်နှုန်း: 3.55GHz, အမြတ်: 11dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 12V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 920MHz, အမြတ်: 19dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 220MHz, အမြတ်: 25.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.16GHz, အမြတ်: 16dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 19.7dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.17GHz, အမြတ်: 15dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 30MHz, အမြတ်: 22dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 100V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 12A,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 175MHz, အမြတ်: 15dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 20A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 470MHz, အမြတ်: 21dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 1µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 18.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.805GHz ~ 1.88GHz, အမြတ်: 16.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 900MHz, အမြတ်: 23.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 7.5V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 600mA,
Transistor အမျိုးအစား: HFET, ကြိမ်နှုန်း: 2GHz, အမြတ်: 17.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 2V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 60mA, ဆူညံသံပုံ: 0.4dB,
Transistor အမျိုးအစား: HFET, ကြိမ်နှုန်း: 12GHz, အမြတ်: 12dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 2V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 70mA, ဆူညံသံပုံ: 0.45dB,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 65MHz, အမြတ်: 23dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 100V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 8A,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 1.2GHz ~ 1.4GHz, အမြတ်: 18.4dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 4.8A,
