Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 18.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.68GHz, အမြတ်: 15dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 940MHz, အမြတ်: 18dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.14GHz, အမြတ်: 15.8dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.68GHz, အမြတ်: 13.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.96GHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.16GHz, အမြတ်: 16dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.6GHz ~ 1.66GHz, အမြတ်: 19.7dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.12GHz, အမြတ်: 15.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.11GHz ~ 2.17GHz, အမြတ်: 15.9dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 470MHz ~ 860MHz, အမြတ်: 20dB,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 945MHz, အမြတ်: 19dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 26V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 450MHz, အမြတ်: 22dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V,
Transistor အမျိုးအစား: pHEMT FET, ကြိမ်နှုန်း: 3.55GHz, အမြတ်: 10dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 6V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.11GHz ~ 2.17GHz, အမြတ်: 17.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 20dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 2.14GHz, အမြတ်: 18.1dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 860MHz, အမြတ်: 18.2dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 32V,
Transistor အမျိုးအစား: pHEMT FET, ကြိမ်နှုန်း: 3.55GHz, အမြတ်: 10dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 12V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 940MHz, အမြတ်: 21dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.81GHz, အမြတ်: 17.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 945MHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 26V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.99GHz, အမြတ်: 20dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 17.2dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 12A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2GHz, အမြတ်: 11dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 13.6V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 5A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 14dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 14A,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 400MHz, အမြတ်: 11.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 5A,
Transistor အမျိုးအစား: HFET, ကြိမ်နှုန်း: 2GHz, အမြတ်: 16dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 2V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 120mA, ဆူညံသံပုံ: 0.6dB,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 20GHz, အမြတ်: 10.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 2V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 15mA, ဆူညံသံပုံ: 0.85dB,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 900MHz, အမြတ်: 22dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 7.5V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 2.1A,
Transistor အမျိုးအစား: MESFET Dual Gate, ကြိမ်နှုန်း: 900MHz, အမြတ်: 20dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 5V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 40mA, ဆူညံသံပုံ: 1.1dB,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.17GHz, အမြတ်: 18.1dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 0Hz ~ 3.5GHz, အမြတ်: 18dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 3A,
