Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.99GHz, အမြတ်: 18dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 18.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.96GHz, အမြတ်: 17.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.96GHz, အမြတ်: 16dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 470MHz, အမြတ်: 21dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 1µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), Common Source, ကြိမ်နှုန်း: 2.61GHz, အမြတ်: 13.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.14GHz, အမြတ်: 15.8dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 765MHz, အမြတ်: 18.7dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.93GHz ~ 1.99GHz, အမြတ်: 17.9dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.62GHz, အမြတ်: 16dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: pHEMT FET, ကြိမ်နှုန်း: 3.55GHz, အမြတ်: 10dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 12V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.93GHz, အမြတ်: 14.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 26V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.93GHz ~ 1.99GHz, အမြတ်: 14.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 19.2dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.7GHz, အမြတ်: 16.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 860MHz, အမြတ်: 18.2dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 32V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 21.2dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 20.2dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.4GHz, အမြတ်: 15.4dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.6GHz ~ 1.66GHz, အမြတ်: 19.7dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 857MHz ~ 863MHz, အမြတ်: 20.2dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 32V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 945MHz, အမြတ်: 18dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 26V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 920MHz, အမြတ်: 19.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS,
Transistor အမျိုးအစား: HFET, ကြိမ်နှုန်း: 20GHz, အမြတ်: 13.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 2V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 70mA, ဆူညံသံပုံ: 0.65dB,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel GaAs HJ-FET, ကြိမ်နှုန်း: 12GHz, အမြတ်: 13dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 2V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 60mA, ဆူညံသံပုံ: 0.65dB,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.17GHz, အမြတ်: 18dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.2GHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel JFET, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 15mA,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel JFET, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 30mA,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel, ကြိမ်နှုန်း: 470MHz, အမြတ်: 13.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 6V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 2A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 500MHz, အမြတ်: 17dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 12.5V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 4A,
