Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.51GHz, အမြတ်: 19.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 22.7dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.99GHz, အမြတ်: 18dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 17.9dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 26V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS (Dual), ကြိမ်နှုန်း: 1.88GHz ~ 1.91GHz, အမြတ်: 16dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 3.4GHz ~ 3.6GHz, အမြတ်: 15dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 20.9dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 19.2dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.93GHz, အမြတ်: 12.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 26V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.17GHz, အမြတ်: 16dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.93GHz ~ 1.99GHz, အမြတ်: 13dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.81GHz, အမြတ်: 18.2dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 880MHz, အမြတ်: 20dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.39GHz, အမြတ်: 15.2dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.93GHz ~ 1.99GHz, အမြတ်: 14.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.81GHz ~ 1.88GHz, အမြတ်: 13dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 26V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 960MHz, အမြတ်: 17.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 26V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 470MHz, အမြတ်: 21dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 1µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 821MHz, အမြတ်: 19.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.5GHz, အမြတ်: 18dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 1µA,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.14GHz, အမြတ်: 15.8dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 30V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 1.88GHz, အမြတ်: 16.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 1µA,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel JFET, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 8mA,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel JFET, ကြိမ်နှုန်း: 100MHz, အမြတ်: 16dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 10V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 60mA,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel JFET, ကြိမ်နှုန်း: 400MHz, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 15V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 10mA, ဆူညံသံပုံ: 4dB,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 900MHz, အမြတ်: 22dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 7.5V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 3A,
Transistor အမျိုးအစား: N-Channel GaAs HJ-FET, ကြိမ်နှုန်း: 20GHz, အမြတ်: 11dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 2V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 70mA, ဆူညံသံပုံ: 0.85dB,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 2.4GHz, အမြတ်: 15dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 28V,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 870MHz, အမြတ်: 16.3dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 7.5V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 8A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 860MHz, အမြတ်: 20dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 32V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 20A,
Transistor အမျိုးအစား: LDMOS, ကြိမ်နှုန်း: 860MHz, အမြတ်: 16.5dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 32V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 17A,
Transistor အမျိုးအစား: HEMT, ကြိမ်နှုန်း: 4GHz, အမြတ်: 15.6dB, ဗို့အား - စမ်းသပ်မှု: 50V, လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 300mA,
